飞利浦半导体
PSMN008-75P ; PSMN008-75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
民
75
典型值
90
最大
单位
V
静态特性
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
2
1
3
0.05
4
4
10
500
100
V
V
A
A
nA
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
GS
= 0 V; V
DS
= 75 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 0 V; V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图8
和
9
T
j
= 25
o
C
T
j
= 175
°C
7.9
115
21
50
4.7
760
400
18
80
170
100
0.8
80
227
8.5
20
1.2
m
m
nC
nC
nC
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
关断的上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图14
I
S
= 5 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
V
DD
= 37.5 V ;
D
= 1.5
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图13
I
D
= 75 A; V
DS
= 60 V;
V
GS
= 10 V;
图15
源极 - 漏极二极管
9397 750 07495
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月18日
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