飞利浦半导体
PSMN008-75P ; PSMN008-75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
100
ID
(A) 90
80
70
60
50
03ac64
TJ = 25℃
o
100
03ac67
VGS = 6.0 V
ID
(A) 90
80
VDS >内径×导通电阻
5.0 V
70
60
50
4.5 V
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
40
TJ = 150摄氏度
4.3 V
4.1 V
3.9 V
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
TJ = 25℃
VDS （ V）
VGS （ V）
T
j
= 25
°C
T
j
= 25
°C
175
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
×
R
DSON
图6.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
03ac66
图7.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
03aa29
0.1
DSON 0.09
()
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
4.5 V
3.9 V
4.1 V
4.3 V
TJ = 25℃
VGS = 10 V
5.0 V
3
a
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-20
20
60
100
140
180
℃）
TJ （
90 100
I D （ A）
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
---------------------------
-
R
°
DSON
(
25 C
)
图8.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
图9.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数。
9397 750 07495
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月18日
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