飞利浦半导体
PSMN008-75P ; PSMN008-75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
03aa11
03ad10
120
伊德尔
(%)
80
PDER 100
(%)
80
100
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
T
150
175
（ OC ）
AMB
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
102
03ac65
导通电阻= VDS / ID
TP = 100
s
1毫秒
103
I
AS
(A)
102
03ac93
10毫秒
10
P
25℃
特区
δ
=
tp
T
100毫秒
10
TJ前雪崩= 150摄氏度
1
tp
T
t
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
1
10-2
10-1
1
TP（ ms）的
10
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
非钳位感性负载; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
150
°C.
图3.安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏 - 源极电压的函数。
图4.非重复性雪崩耐用电流
由于脉冲持续时间的函数。
9397 750 07495
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月18日
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