三菱的LSI
M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM
超页模式周期
（读，写初，读写，读 - 修改 - 写周期，读写混合周期，高阻通过控制OE或W）
范围
符号
t
HPC
t
HPRWC
t
RAS
t
CPRH
t
CPWD
t
HCWD
t
HAWD
t
HPWD
t
HCOD
t
HAOD
t
HPOD
参数
超页模式的读/写周期时间
超页模式阅读写/读 - 修改 - 写周期时间
RAS的低脉冲宽度为读或写周期
RAS预充电CAS后保持时间
延迟时间CAS预充电至W低
延迟时间CAS低到读取后W低
延迟时间，地址为W低后读
延迟时间CAS预充电至W低后读
延迟时间CAS低到OE读取后高
延迟时间，地址到OE读取后高
延迟时间CAS预充电到OE读取后高
（注26 ）
（注27 ）
（注24 ）
M5M4V4405C-6,-6S
M5M4V4405C-7,-7S
（注25 ）
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
30
71
82
38
55
37
52
55
20
35
38
最大
100000
民
35
84
97
43
65
47
62
65
25
40
43
最大
100000
测试模式设定周期
范围
符号
t
WSR
t
WHR
RAS低之前写的建立时间
写RAS低后保持时间
参数
M5M4V4405C-6,-6S
M5M4V4405C-7,-7S
单位
ns
ns
民
10
10
最大
民
10
15
最大
9
