三菱的LSI
M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM
读/写操作时2.突发刷新
（ A）时序图
READ / WRITE
自刷新
READ / WRITE
t
NSB
t
RASS
≥100s
t
SNB
RAS
第一次
刷新周期
刷新周期
1024次
刷新周期
1024次
LAST
刷新周期
表3
读/写周期
CBR爆
刷新
只有RAS
突发刷新
READ / WRITE
自刷新
t
NSB
≤16.4ms
自刷新
READ / WRITE
t
SNB
≤16.4ms
t
NSB
+t
SNB
≤16.4ms
（二）突发刷新的定义
16.4ms
RAS
刷新周期
1024cycles
读/写周期
的CBR突发刷新定义
在CBR突发刷新完成超过1024个
在16.4毫秒连续CBR循环。
RAS的定义只爆刷新
九行地址信号的所有组合（A
0
~A
9
)
在1024连续RAS选择只刷新
在16.4毫秒周期。
2.1 CBR突发刷新
从读/写操作切换到自刷新操作。
从RAS的下降沿的时间间隔纳秒的信号
第一CBR刷新过程中读/写操作期间向所述循环
落下的RAS信号的边缘处的自刷新操作的开始
应于16.4毫秒设置。
从自刷新操作切换到读/写操作。
从RAS的上升沿的时间间隔势利的信号
的自刷新操作结束到RAS信号的下降沿
最后CBR刷新过程中的读/写操作期间周期
应于16.4毫秒设置。
2.2 RAS只刷新爆
从读/写操作切换到自刷新操作。
从RAS的下降沿的时间间隔在所述第一信号
RAS的只刷新周期期间，读/写操作期间对
落下的RAS信号的边缘处的自刷新操作的开始
应内吨设置
NSB
（见表3）。
从自刷新操作切换到读/写操作。
从RAS信号的上升沿的时间间隔的结束
在过去的自刷新操作的RAS的下降沿信号
RAS只在读/写操作期间刷新周期应
被T内设置
SNB
（见表3）。
