三菱的LSI
M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， Vss的
=
0V，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， Vss的
=
0V，除非另有说明，注释6,14,15 ）
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
OEZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
从CAS输出保持时间
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出低阻抗时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后，我们低
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注13 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注12,13 ）
（注12,13 ）
5
5
5
15
15
15
15
范围
@
M5M4V4405C-6,-6S
M5M4V4405C-7,-7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
15
60
30
33
15
民
最大
20
70
35
38
20
5
5
5
20
20
20
20
注6 ：为200ps的初始暂停要求后至少8初始化周期电后（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前
周期）埃
D@@@@@@@@@@@@@ @
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和八个初始化周期需要较长时间后（大于
t
REF （最大）
）的
器件正常工作之前， RAS活动得以实现。
7 ：测量用相当于100pF电容，V负载电路
OH
=2.4V(I
OH
= -2mA ）和V
OL
=0.4V(I
OL
=2mA).
参考电平，用于测量输出信号是2.0V （Ⅴ
OH
）和0.8V （V
OL
).
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
和
t
CP
≥
t
CP（ MAX）的
.
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将
通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
12:
t
OEZ （最大）
,
t
WEZ （最大）
,
t
关（ MAX）的
和
t
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（
I
OUT
≤
|
±10A
|)
并
不能引用到V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
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