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三菱的LSI
M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM
时序图
读周期
（注32 ）
t
RC
t
RAS
V
IH
V
IL
t
CSH
t
CRP
V
IH
CAS
V
IL
t
拉德
t
ASR
V
IH
A
0
~A
9
V
IL
t
RAH
t
ASC
t
CAH
ROW
地址
t
RP
RAS
t
RCD
t
RSH
t
CAS
t
CRP
t
拉尔
t
CAL
t
ASR
ROW
地址
COLUMN
地址
t
RCS
V
IH
V
IL
t
DZC
V
IH
V
IL
t
CAC
t
AA
t
CLZ
DQ
1
-DQ
4
（输出）
V
OH
V
OL
高阻
t
RAC
t
DZO
V
IH
V
IL
t
ORH
t
OEA
t
OCH
OE
高阻
t
苏亚雷斯
t
高级代表办事处
数据有效
t
RRH
t
RCH
W
t
CDD
DQ
1
-DQ
4
（输入）
t
WEZ
t
关闭
t
OHC
高阻
t
OEZ
t
ODD
注32
表示不关心投入。
V
IH（分钟）
≤V
IN
≤V
IH（ MAX）的
或V
IL （ MIN ）
≤V
IN
≤V
白细胞介素（最大）
表示无效输出。
