位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1103页 > SST34HF1602D-70-4C-L1PE > SST34HF1602D-70-4C-L1PE PDF资料 > SST34HF1602D-70-4C-L1PE PDF资料1第17页
16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
表9 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T9.0 1256
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
20 pF的
16 pF的
T10.0 1256
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：F
LASH
R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T11.0 1256
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
17
