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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
表4 ：o
PERATIONAL
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
全备
输出禁用
BEF ＃
1
V
IH
V
IH
V
IL
Flash读
Flash写
闪存擦除
（ P） SRAM读
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
BES1#
1,2
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IH
X
V
IH
X
V
IH
X
V
IL
BES2
1,2
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
（ P） SRAM写入
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
产品
鉴定
4
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
ID
5
T4.0 1256
对于X
16
（ P） SRAM
DQ
15-8
LBS ＃
2
X
X
X
V
IH
X
X
X
X
瑞银（UBS） ＃
2
X
X
X
V
IH
X
X
X
X
高-Z
D
OUT
D
IN
X
高-Z
D
OUT
D
IN
X
高-Z
DQ
14-8
=高阻
DQ
15
= A
-1
DQ
14-8
=高阻
DQ
15
= A
-1
X
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ
7-0
高-Z
CIOf = V
IH
高-Z
CIOf = V
IL
高-Z
OE ＃
2,3
X
X
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
WE＃
2,3
X
X
V
IH
X
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
制造商
器件ID
5
1.不要使用BEF ＃ = V
IL
， BES1 ＃ = V
IL
和BES2 = V
IH
同时
2. X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
3. OE ＃ = OEF ＃和OES ＃
WE＃ = WEF ＃和＃ WES只LS包
4.仅软件模式
5.带
19
-A
18
= V
白细胞介素;
SST制造商ID = BFH ，读有A
0
=0,
SST34HF16x2C / D / S设备ID = 734AH ，读有A
0
=1
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
12
