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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
表8 ： DC
操作摄像机
C
极特
(V
DD
= V
DDF
范围
符号
I
DD1
参数
积极V
DD
当前
读
FL灰
（ P） SRAM
并发操作
写
2
FL灰
（ P） SRAM
I
SB
I
RT
I
LI
I
LIW
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
待机V
DD
当前
RESET
V
DD
当前
输入漏电流
输入漏电流
在WP ＃引脚和RST ＃引脚
输出漏电流
输入低电压
输入低电压（ CMOS ）
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
（ P） SRAM输出低电压
（ P） SRAM输出高电压
2.2
0.7
V
DD
SRAM
PSRAM
40
30
30
85
30
1
10
10
0.8
0.3
mA
mA
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
0.2
V
V
0.4
V
V
35
30
60
mA
mA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
马克斯，所有的DQ打开
OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IL
， BES1 ＃ = V
IH
或BES2 = V
IL
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
WE＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IL
， BES1 ＃ = V
IH
或BES2 = V
IL
， OE ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
马克斯， BEF ＃ = BES1 ＃ = V
IHC
， BES2 = V
ILC
RST ＃ = GND
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
WP ＃ = GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
RST ＃ = GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
IOL = 1毫安， V
DD
=V
DD
民
IOH = -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T8.0 1256
和
V
DDS
= 2.7-3.3V)
V
DD
-0.3
V
DD
-0.2
1.地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
V
DD
=V
DD
最大（见图20）
2. I
DD
同时积极擦除或编程正在进行中。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
16
