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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
T
RCS
解决了
MSS-0
T
AAS
BES1#
T
BES
T
OHS
BES2
T
BES
T
BLZS
T
BHZS
T
OES
T
OLZS
T
OHZS
T
再见
T
BYLZS
T
BYHZS
数据有效
1256 F04.0
OE ＃
瑞银＃ ，LBS ＃
DQ
15-0
注意：
A
MSS
=最显著地址
A
MSS
= A
16
对于SST34HF1622C / S，A
17
对于SST34HF1622C / D / S和A
18
对于SST34HF1682D
对于SST34HF16x2S ，LBS ＃和瑞银＃是无连接，并在x8模式，额外的SRAM地址为SA 。
图5： （P）的SRAM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
T
WCS
ADDRESSES AMSS3-0
T
ASTS
WE＃
T
AWS
T
WPS
T
WRS
T
BWS
BES1#
T
BWS
T
BYWS
T
ODWS
DQ15-8 ， DQ7-0
注2
BES2
瑞银＃ ，LBS ＃
T
OEWS
T
DSS
T
美国国土安全部
注2
1256 F05.0
有效的数据在
注意：
1.如果OE ＃为高电平期间写周期，输出将保持在高阻抗。
2.如果BES1 ＃变低或BES2变高重合或之后WE＃变为低电平时，输出将保持在高阻抗。
如果BES1 ＃变高或BES2变低重合或之前WE＃为高电平时，输出将保持在高阻抗。
由于
IN
信号可以是在此时的输出状态，相反极性的输入信号不能被应用。
3. A
MSS
=最重要的SRAM地址
A
MSS
= A
16
对于SST34HF1622C / S，A
17
对于SST34HF1622C / D / S和A
18
对于SST34HF1682D
对于SST34HF16x2S ，LBS ＃和瑞银＃是无连接，并在x8模式，额外的SRAM地址为SA 。
图6 ： （ P） SRAM W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
（ WE＃
ONTROLLED
)
1
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
20
