L6911E
图3.高端驱动器的峰值电流。
VBOOT - VPHASE = 12V （左） VBOOT - VPHASE = 5V （右） CH1 =高侧栅极CH4 =电感电流
图4.低边驱动器的峰值电流。
VCC = 12V （左） VCC = 5V （右） CH1 =低侧栅极CH4 =电感电流
监视和保护
输出电压由引脚1（ VSEN ）法监测。如果不是在± 10 ％ （典型值）的编程
值时，电源良好输出被拉低。
该设备提供过电压保护，当输出电压达到一个值的17％ （典型值）大于
标称之一。如果输出电压超过该阈值时， OVP引脚被强制为高（5V ）与下部驱动器
只要在过电压检测被接通。 OVP引脚能够提供高达60mA （分钟） ，以
触发连接到刻录的输入保险丝外部SCR 。低边MOSFET的导通实现此功能
当SCR不使用，在保持输出中低帮助。
来执行过电流保护的设备比较跨过高端的MOS下降时，由于其
导通电阻，与外部电阻两端的电压（注册商标
OCS
）连接在OCSET引脚和漏极
上MOS 。因此，过流阈值（I
P
）可被计算为以下关系式：
I
CS
R
OCS
I
P
= --------------------------------
R
DS ON
在那里我的典型值
OCS
为200μA 。
计算第r
OCS
值时，它必须要考虑的最大R
DSON
（也可将随温度变化）
和I的最小值
OCS
。为了避免过电流保护不良触发这种关系必须是
满意：
8/20
