L6911E
MOS开始切换和输出电压开始增加。
在VSS生长电压最初钳位误差放大器的输出，从而VOUT线性IN-
折痕，如图2。在此阶段，系统工作在开环控制。当VSS等于VCOMP的
钳上的误差放大器的输出被解除。在任何情况下，在非反相输入端的另一个钳
误差放大器保持激活，从而允许到VOUT具有低斜率的增长（即VSS电压的斜率
参见图2） 。在该第二阶段的系统工作在闭环与越来越参考。作为输出
电压达到所期望的值VPROG ，还对误差放大器输入端的夹具除去，将软
启动完成。 Vss的增加，直到大约4V的最大值。
软启动不会发生，相对引脚在内部接地短路，如果两个VCC和OCSET引脚
是不是在自己之上打开通门限;以这种方式在设备启动开关只有当两个电源支持
帘布层都存在。在正常操作期间，如果任何欠压的是，这两个电源中的一个检测到时，SS
引脚内部接地短路等SS电容迅速放电。
该装置会禁止状态迫使低于0.4V SS引脚。在这种情况下两个外部MOSFET保持
关。
图2.软启动
V CC导通阈值
V CC
VIN
V在导通阈值
V SS
至G ND
1V
0.5V
LGATE
VOUT
时序图
AQUISITION ： CH1 =相; CH2 = V
OUT
;
CH3 = PGOOD ; CH4 = V
SS
驱动部分
在高和低侧驱动器，驱动程序功能允许使用不同类型的功率MOS管（也多
MOS减少第r
DSON
） ，保持快速切换过渡。
低侧金属氧化物半导体驱动器由Vcc的直接供给，而高侧驱动器是由BOOT引脚提供。
适应性死区时间控制的实施，以防止交叉传导，并允许使用多种MOSFET导的
场效应管。上MOS导通时可以避免的，如果下门是在大约200mV的，而较低的MOS导通的
如果相位引脚是在大约500mV的避免。上面的MOS在导通时从200纳秒后，任何情况下，
低侧关断。
峰值电流示为上层（图3）和lowr （图4）驱动电压为5V和12V 。一个4NF电容
负载已被用于这些测量。
对于较低的驱动程序，源峰值电流为1.1A @ VCC = 12V和500mA在VCC = 5V ，而沉峰
电流是1.3A @ VCC = 12V和500mA在VCC = 5V 。
类似地，对于上部驱动器，源极峰值电流是1.3A @ VBOOT - VPHASE = 12V和600毫安@ Vboot-
VPHASE = 5V ，而沉峰值电流为1.3A @ VBOOT - VPHASE = 12V和550毫安@ VBOOT - VPHASE = 5V 。
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