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L6911E
5位可编程降压控制器
具有同步整流
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源IC电压为5V
至12V巴士
UP TO 1.3A门极电流能力的
TTL兼容5位可编程
与VRM 8.5输出的规定：
1.050V TO 1.825V与0.025V BINARY
步骤
电压模式PWM控制
出色的输出精度：± 1 ％
在线路和温度
变化
非常快速负载瞬态响应：
从0％到100％占空比
电源良好输出电压
过压保护和
MONITOR
过电流保护REALIZED
使用上MOSFET的RDSON
200KHz的内部振荡器
振荡器外部可调
在50kHz至1MHz
软启动抑制功能
SO-20
订购号： L6911E
L6911ETR
（磁带和卷轴）
描述
该装置是电源控制器具体
旨在提供一种高性能的DC / DC转换
版本大电流的微处理器。精确的5
位的数字到模拟转换器（DAC），允许调整
输出电压从1.050到1.825与25mV的双
进制步骤。
高精度内部参考电压，保证了SE-
lected输出电压为±1％以内。高峰
电流栅极驱动能提供有快速切换到
外部功率MOS提供低开关损耗。
该设备保证了快速的保护，防止负载
过流和负载的过电压。外部SCR
被触发撬棍输入电源的情况下
很难过电压。内部撬棍也provid-
ED的低边MOSFET导通，只要过
电压被检测。的情况下的过电流检测，
软启动电容放电的系统
工作在打嗝模式。
应用
s
电源的高级
微处理器内核
s
分布式电源
框图
VCC 5V to12V
输入电压5V to12V
PGOOD
SS
VCC
OCSET
BOOT
监测与
保护
OVP
RT
UGATE
OSC
相
LGATE
保护地
Vo
1.050V至1.825V
VD0
VD1
VD2
VD3
VD4
D / A
+
-
E / A
-
+
PWM
GND
VSEN
VFB
D98IN957
COMP
2001年11月
1/20
L6911E
绝对最大额定值
符号
VCC
V
BOOT
-V
相
V
HGATE
-V
相
OCSET ，相位， LGATE
ROSC ， SS ， FB ， PGOOD ， VSEN
COMP ， OVP
参数
VCC和GND ， PGND
启动电压
价值
15
15
15
-0.3 VCC + 0.3
7
6.5
单位
V
V
V
V
V
V
引脚连接
VSEN
OCSET
SS / INH
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D98IN958
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
OVP
VCC
LGATE
保护地
BOOT
UGATE
相
PGOOD
GND
热数据
符号
RTH J- AMB
TMAX
TSTORAGE
T
J
参数
热阻结到环境
最高结温
存储温度范围
结温范围
价值
110
150
-40至150
0-125
单位
°C
/ W
°C
°C
°C
2/20
L6911E
引脚功能
N
1
2
名字
VSEN
OCSET
描述
连接到所述输出电压是能够管理过电压条件和PGOOD信号。
从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流限制保护。
内部200μA电流发生器下沉从漏极电流通过外部电阻器。
该过电流阈值，是由于以下公式：
I
CSET
R
OCS ET
I
P
= ------------------------------------------------
R
DSON
3
SS / INH
软启动时间进行编程连接从这个引脚与GND外部电容。该
内部电流产生的力量通过电容器10μA 。
该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下
4-8
VID0 - 4电压识别码引脚。这些输入在内部上拉式和TTL兼容。他们是
用于编程的输出电压，如表1所指明的并以设置的过电压和功率
良好的阈值。
连接至GND设定一个“0” ，而离开浮动方案“1” 。
COMP
FB
GND
该引脚被连接到误差放大器的输出，用于补偿的电压控制
反馈回路。
该引脚被连接到误差放大器的反相输入端，并用于补偿电压
控制反馈回路。
所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。
9
10
11
12
PGOOD引脚这是一个集电极开路输出被拉低，如果输出电压不符合上述
指定threshlds 。
如果不使用可能被悬空。
相
UGATE
BOOT
保护地
LGATE
VCC
OVP
该引脚被连接到上部场效应晶体管的源极和提供返回路径为高侧
驱动程序。该引脚用于监控上MOSFET的压降的电流限制。
高侧栅极驱动器输出。
自举电容引脚。通过此引脚提供的高边驱动器和MOSFET上。
通过连接一个电容到相位引脚通过一个二极管到Vcc （ catode VS引导） 。
电源接地引脚。该引脚必须紧密连接到低侧MOSFET的源极，以
降低噪声注入到器件
该引脚为低MOSFET栅极驱动器输出
器件的电源电压。手术电源电压范围是从4.5到12V 。
请勿连接V
IN
至12V ，如果V
CC
IS 5V 。
过电压保护。如果输出电压达到上述设定的电压此引脚的15 ％
被驱动为高，可用于驱动外部可控硅那撬棍电源电压。
如果未使用的，它可被悬空。
振荡器开关频率针。连接一个外部电阻从这个引脚GND ，外部
频率是根据该方程式增大：
5
10
f
S
=
200kHz
+ --------------------
R
T
(
k
)
从该引脚到Vcc （12V）连接一个电阻，开关频率是根据降低
公式：
4
10
f
S
=
200kHz
– --------------------
R
T
(
k
)
如果该引脚没有连接时，开关频率为200KHz的。
在这个引脚上的电压固定在1.23V 。迫使50μA电流流入该引脚，内置振荡器
停止切换。
7
6
13
14
15
16
17
18
19
20
RT
3/20
L6911E
电气特性
（VCC = 12V ; T = 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
VCC电源电流
ICC
VCC电源电流
开启Vcc的门槛
关断阈值的Vcc
瑞星V
OCSET
门槛
国际空间站
软启动电流
自由运行频率
全变差
ΔVosc
斜坡幅度
DACOUT电压
准确性
VID上拉电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
SR
增益带宽积
压摆率
高边源
当前
高边水槽
阻力
低端来源
当前
低侧漏
阻力
输出驱动器死区时间
PROTECTIONS
过电压跳闸（V
SEN
/
DACOUT ）
I
OCSET
I
OVP
OCSET电流源
OVP拉电流
V
SEN
升起
V
OCSET
= 4.5V
V
SEN
＆ GT ; OVP旅行，V
OVP
=0V
V
SEN
升起
V
SEN
落下
上限和下限阈
I
PGOOD
= -5mA
170
60
117
200
120
230
%
A
mA
COMP=10pF
1
88
15
10
1.3
2
0.9
1.1
1.5
120
3
4
dB
兆赫
V / μs的
A
A
nS
RT = OPEN
6 KΩ<
T
到GND <200 KΩ
RT = OPEN
-1
180
-15
1.9
1
振荡器
200
220
15
千赫
%
VP-P
%
UGATE和LGATE开放
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
3.6
1.26
10
5
4.6
mA
V
V
V
A
POWER- ON
参考和DAC
VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ，
VID25mV参照表1 ，环境温度Tamb = 0
70°C
3.1
V
栅极驱动器
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
=12V,
V
UGATE
- V
相
= 6V
V
BOOT
-V
相
=12V,
I
UGATE
= 300毫安
VCC = 12V ，V
LGATE
= 6V
VCC = 12V ，我
LGATE
= 300毫安
相连接到GND
电源良好
阈值上限
(V
SEN
/ DACOUT ）
阈值下限
(V
SEN
/ DACOUT ）
迟滞
(V
SEN
/ DACOUT ）
V
PGOOD
PGOOD电压低
108
88
110
90
2
0.5
112
92
%
%
%
V
4/20
L6911E
表1. VID设置
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
产量
电压（V）的
1.050
1.075
1.100
1.125
1.150
1.175
1.200
1.225
1.250
1.275
1.300
1.325
1.350
1.375
1.400
1.425
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
产量
电压（V）的
1.450
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护
对于高性能降压为微处理器供电的DC-DC转换器进行了优化。它被设计
驱动N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。该设备工作正常与Vcc的rang-
从5V荷兰国际集团以12V和调节输出电压从1.26V输出级电源电压（Vin ）开始。该
该转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从1.050V至1.825V
以25mV为二进制的步骤，为±1 ％以上的温度和线电压变化的最大容限。该
器件提供电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器
这是可调的50kHz至1MHz的。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和10V /
ms的压摆率，允许进行快速的瞬态性能高的转换器带宽。由此产生的PWM占空比
周期的范围从0％到100％。该装置可防止过电流条件下进入打嗝模式。
该装置监视当前使用第r
DS （ ON）
上部MOSFET其中省去了一个电流的
租传感电阻。
该器件采用SO20封装。
振荡器
开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波
为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前
振荡器是tipically 50μA （FSW = 200KHz的） ，并且可以使用一个外部电阻器来改变（注册商标
T
），连接在
RT引脚与GND或VCC 。自从RT引脚保持在固定的电压（典型值1.235V ），则频率变化
成比例地从当前sinked （强制）（入）管脚。
特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销sinked ） ，根据本
下列关系式：
4.94
10
f
S
=
200kH
+ -------------------------
R
T
(
k
)
6
连接的RT到VCC = 12V或至VCC = 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据
下列关系式：
5/20
L6911E
5位可编程降压控制器
具有同步整流
特点
■
■
■
工作电源IC电压从5V至12V
巴士
UP TO 1.3A门极电流能力的
TTL兼容5位可编程输出
符合VRM 8.5 ：
1.050V至1.825V与0.025V二元步骤
电压模式PWM控制
出色的输出精度：过线± 1％
温度变化
非常快速的负载瞬态响应：从0％到
100％占空比
电源良好输出电压
过电压保护和监控
使用上的过电流保护实现
MOSFET的
DS （ ON）
200KHz的内部振荡器
振荡器外部可调的50kHz至
1MHz
软启动抑制功能
SO-20
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
该装置是电源控制器
专门设计的，以提供高
性能的直流高电流/ DC变换
微处理器。精确的5位数字到模拟
转换器（DAC），允许调整输出
电压从1.050到1.825与25mV的二进制
步骤。
高精度内部参考的保证
选择的输出电压为±1％以内。该
高的峰值电流栅极驱动能提供有快速
切换到外部电源金属氧化物半导体提供低
开关损耗。
该设备保证了快速的保护，防止负载
过流和负载的过电压。外部
可控硅被触发撬棍输入电源的
案件很难过电压。内部是撬棍
还提供了开启低边MOSFET的
只要过电压进行检测。在箱子
过电流检测时，软启动电容是
排出的系统工作在打嗝
模式。
应用
■
■
电源的高级
微处理器内核
分布式电源
表1.设备摘要
产品型号
L6911E
L6911ETR
2007年4月
包
TSSOP8
TSSOP8
REV 3
包装
管
磁带和卷轴
1/34
www.st.com
34
目录
L6911E
目录
1
2
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
引脚设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
2.2
引脚连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
3
电气数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3.1
3.2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
4
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
4.1
VID设置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
5
设备描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
数字 - 模拟转换器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
软启动和禁止。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
驱动部分。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
监视和保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
电感的设计。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
输出电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
输入电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
补偿网络的设计。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
6
VRM演示板说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
效率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
电感的设计。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
输出电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
输入电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
过电流保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
2/34
L6911E
目录
7
8
9
10
连接器引脚方向。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
PCB和元件布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
3/34
框图
L6911E
1
框图
图1 。
框图
VCC 5V to12V
输入电压5V to12V
PGOOD
SS
VCC
OCSET
BOOT
监测与
保护
OVP
RT
UGATE
OSC
相
LGATE
保护地
Vo
1.050V至1.825V
VD0
VD1
VD2
VD3
VD4
D / A
+
-
E / A
-
+
PWM
GND
VSEN
VFB
D98IN957
COMP
4/34
L6911E
PIN设置
2
2.1
PIN设置
引脚连接
图2中。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
VSEN
OCSET
SS / INH
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D98IN958
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
OVP
VCC
LGATE
保护地
BOOT
UGATE
相
PGOOD
GND
2.2
引脚说明
表2.引脚说明
N°
1
名字
VSEN
描述
连接到所述输出电压是能够管理过电压条件，并
在PGOOD信号。
从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流
限流保护。
内部200μA电流发生器下沉从当前
通过外部电阻漏。该过电流阈值是因
下面的等式：
I
OCSET
R
OCSET
I
P
= -----------------------------------------------
-
R
DSON
软启动时间被编程，从这个连接一个外部电容
引脚与GND 。通过电容器内部电流发生器力
10A.
该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下
电压识别码引脚。这些输入在内部上拉式和TTL
兼容。它们被用来编程的输出电压为规定
9页的表6
并设置过压和电源良好阈值。
连接至GND设定一个“0” ，而离开浮动方案“1” 。
该引脚被连接到误差放大器的输出，并且用于补偿
电压控制反馈环路。
该引脚被连接到误差放大器的反相输入端，并用于
补偿电压控制反馈环路。
2
OCSET
3
SS / INH
4-8
VID0 - 4
9
10
COMP
FB
5/34
L6911E
5位可编程降压控制器
具有同步整流
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源IC电压为5V
至12V巴士
UP TO 1.3A门极电流能力的
TTL兼容5位可编程
与VRM 8.5输出的规定：
1.050V TO 1.825V与0.025V BINARY
步骤
电压模式PWM控制
出色的输出精度：
±1%
在线路和温度
变化
非常快速负载瞬态响应：
从0％到100％占空比
电源良好输出电压
过压保护和
MONITOR
过电流保护REALIZED
使用上MOSFET的RDSON
200KHz的内部振荡器
振荡器外部可调
在50kHz至1MHz
软启动抑制功能
SO-20
订购号： L6911E
L6911ETR
（磁带和卷轴）
描述
该装置是电源控制器具体
旨在提供一种高性能的DC / DC转换
版本大电流的微处理器。精确的5
位的数字到模拟转换器（DAC），允许调整
输出电压从1.050到1.825与25mV的双
进制步骤。
高精度内部参考电压，保证了SE-
lected输出电压为中
±1%.
高峰
电流栅极驱动能提供有快速切换到
外部功率MOS提供低开关损耗。
该设备保证了快速的保护，防止负载
过流和负载的过电压。外部SCR
被触发撬棍输入电源的情况下
很难过电压。内部撬棍也provid-
ED的低边MOSFET导通，只要过
电压被检测。的情况下的过电流检测，
软启动电容放电的系统
工作在打嗝模式。
应用
s
电源的高级
微处理器内核
s
分布式电源
框图
VCC 5V to12V
输入电压5V to12V
VCC
OCSET
BOOT
监测与
保护
OVP
RT
VD0
VD1
VD2
VD3
VD4
D / A
+
-
E / A
-
+
PWM
相
LGATE
保护地
GND
VSEN
VFB
Vo
1.050V至1.825V
PGOOD
SS
UGATE
OSC
D98IN957
COMP
2001年11月
1/20
L6911E
绝对最大额定值
符号
VCC
-V
V
引导阶段
V
HGATE
-V
相
OCSET ，相位， LGATE
ROSC ， SS ， FB ， PGOOD ， VSEN
COMP ， OVP
参数
VCC和GND ， PGND
启动电压
价值
15
15
15
-0.3 VCC + 0.3
7
6.5
单位
V
V
V
V
V
V
引脚连接
VSEN
OCSET
SS / INH
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D98IN958
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
OVP
VCC
LGATE
保护地
BOOT
UGATE
相
PGOOD
GND
热数据
符号
RTH J- AMB
TMAX
TSTORAGE
T
J
参数
热阻结到环境
最高结温
存储温度范围
结温范围
价值
110
150
-40至150
0-125
单位
°C
/ W
°C
°C
°C
2/20
L6911E
引脚功能
N
1
2
名字
VSEN
OCSET
描述
连接到所述输出电压是能够管理过电压条件和PGOOD信号。
从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流限制保护。
内部200μA电流发生器下沉从漏极电流通过外部电阻器。
该过电流阈值，是由于以下公式：
I
OCSET
R
OCSET
I
P
= ------------------------------------------------
R
DSON
3
SS / INH
软启动时间进行编程连接从这个引脚与GND外部电容。该
通过电容器10的内部电流发生器力
A.
该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下
4-8
VID0 - 4电压识别码引脚。这些输入在内部上拉式和TTL兼容。他们是
用于编程的输出电压，如表1所指明的并以设置的过电压和功率
良好的阈值。
连接至GND设定一个“0” ，而离开浮动方案“1” 。
COMP
FB
GND
该引脚被连接到误差放大器的输出，用于补偿的电压控制
反馈回路。
该引脚被连接到误差放大器的反相输入端，并用于补偿电压
控制反馈回路。
所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。
9
10
11
12
PGOOD引脚这是一个集电极开路输出被拉低，如果输出电压不符合上述
指定threshlds 。
如果不使用可能被悬空。
相
UGATE
BOOT
保护地
LGATE
VCC
OVP
该引脚被连接到上部场效应晶体管的源极和提供返回路径为高侧
驱动程序。该引脚用于监控上MOSFET的压降的电流限制。
高侧栅极驱动器输出。
自举电容引脚。通过此引脚提供的高边驱动器和MOSFET上。
通过连接一个电容到相位引脚通过一个二极管到Vcc （ catode VS引导） 。
电源接地引脚。该引脚必须紧密连接到低侧MOSFET的源极，以
降低噪声注入到器件
该引脚为低MOSFET栅极驱动器输出
器件的电源电压。手术电源电压范围是从4.5到12V 。
请勿连接V
IN
至12V ，如果V
CC
IS 5V 。
过电压保护。如果输出电压达到上述设定的电压此引脚的15 ％
被驱动为高，可用于驱动外部可控硅那撬棍电源电压。
如果未使用的，它可被悬空。
振荡器开关频率针。连接一个外部电阻从这个引脚GND ，外部
频率是根据该方程式增大：
5
10
-
f
S
=
200kHz
+ -------------------
R
T
(
k
)
从该引脚到Vcc （12V）连接一个电阻，开关频率是根据降低
公式：
4
10
f
S
=
200kHz
– -------------------
-
R
T
(
k
)
如果该引脚没有连接时，开关频率为200KHz的。
在这个引脚上的电压固定在1.23V 。强迫50
电流流入此引脚，内置振荡器
停止切换。
7
6
13
14
15
16
17
18
19
20
RT
3/20
L6911E
电气特性
（VCC = 12V ; T = 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
VCC电源电流
ICC
VCC电源电流
UGATE和LGATE开放
5
mA
POWER- ON
开启Vcc的门槛
关断阈值的Vcc
瑞星V
OCSET
门槛
国际空间站
软启动电流
振荡器
自由运行频率
全变差
ΔVosc
斜坡幅度
RT = OPEN
6 KΩ<
T
到GND <200 KΩ
RT = OPEN
180
-15
1.9
200
220
15
千赫
%
VP-P
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
3.6
1.26
10
4.6
V
V
V
A
参考和DAC
DACOUT电压
准确性
VID上拉电压
错误功率放大器ER
DC增益
增益带宽积
SR
增益带宽积
压摆率
COMP=10pF
88
15
10
dB
兆赫
V/
S
A
4
A
3
nS
VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ，
VID25mV参照表1 ，环境温度Tamb = 0
70°C
-1
1
%
3.1
V
栅极驱动器
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
高边源
当前
高边水槽
阻力
低端来源
当前
低侧漏
阻力
输出驱动器死区时间
PROTECTIONS
过电压跳闸（V
SEN
/
DACOUT ）
I
OCSET
I
OVP
OCSET电流源
OVP拉电流
V
SEN
升起
V
OCSET
= 4.5V
V
SEN
＆ GT ; OVP旅行，V
OVP
=0V
V
SEN
升起
V
SEN
落下
上限和下限阈
I
PGOOD
= -5mA
170
60
117
200
120
230
%
A
mA
V
BOOT
- V
相
=12V,
V
UGATE
- V
相
= 6V
V
BOOT
-V
相
=12V,
I
UGATE
= 300毫安
VCC = 12V ，V
LGATE
= 6V
VCC = 12V ，我
LGATE
= 300毫安
相连接到GND
0.9
1
1.3
2
1.1
1.5
120
电源良好
阈值上限
(V
SEN
/ DACOUT ）
阈值下限
(V
SEN
/ DACOUT ）
迟滞
(V
SEN
/ DACOUT ）
V
PGOOD
PGOOD电压低
108
88
110
90
2
0.5
112
92
%
%
%
V
4/20
L6911E
表1. VID设置
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
产量
电压（V）的
1.050
1.075
1.100
1.125
1.150
1.175
1.200
1.225
1.250
1.275
1.300
1.325
1.350
1.375
1.400
1.425
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
Outpu吨
电压（V）的
1.450
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护
对于高性能降压为微处理器供电的DC-DC转换器进行了优化。它被设计
驱动N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。该设备工作正常与Vcc的rang-
从5V荷兰国际集团以12V和调节输出电压从1.26V输出级电源电压（Vin ）开始。该
该转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从1.050V至1.825V
以25mV为二进制的步骤，以最大宽容
±1%
在温度和线电压变化。该
器件提供电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器
这是可调的50kHz至1MHz的。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和10V /
ms的压摆率，允许进行快速的瞬态性能高的转换器带宽。由此产生的PWM占空比
周期的范围从0％到100％。该装置可防止过电流条件下进入打嗝模式。
该装置监视当前使用第r
DS （ ON）
上部MOSFET其中省去了一个电流的
租传感电阻。
该器件采用SO20封装。
振荡器
开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波
为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前
振荡器tipically 50
A（ FSW = 200千赫兹），并可以使用一个外部电阻来改变（R
T
），连接在
RT引脚与GND或VCC 。自从RT引脚保持在固定的电压（典型值1.235V ），则频率变化
成比例地从当前sinked （强制）（入）管脚。
特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销sinked ） ，根据本
下列关系式：
f
S
4.94
10
=
200kH
+ ----
---------------------
R
T
(
k
)
6
连接的RT到VCC = 12V或至VCC = 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据
下列关系式：
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