L6911E
表1. VID设置
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
产量
电压（V）的
1.050
1.075
1.100
1.125
1.150
1.175
1.200
1.225
1.250
1.275
1.300
1.325
1.350
1.375
1.400
1.425
VID4
(25mV)
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
VID3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
VID2
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
VID1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
VID0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
产量
电压（V）的
1.450
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护
对于高性能降压为微处理器供电的DC-DC转换器进行了优化。它被设计
驱动N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。该设备工作正常与Vcc的rang-
从5V荷兰国际集团以12V和调节输出电压从1.26V输出级电源电压（Vin ）开始。该
该转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从1.050V至1.825V
以25mV为二进制的步骤，为±1 ％以上的温度和线电压变化的最大容限。该
器件提供电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器
这是可调的50kHz至1MHz的。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和10V /
ms的压摆率，允许进行快速的瞬态性能高的转换器带宽。由此产生的PWM占空比
周期的范围从0％到100％。该装置可防止过电流条件下进入打嗝模式。
该装置监视当前使用第r
DS （ ON）
上部MOSFET其中省去了一个电流的
租传感电阻。
该器件采用SO20封装。
振荡器
开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波
为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前
振荡器是tipically 50μA （FSW = 200KHz的） ，并且可以使用一个外部电阻器来改变（注册商标
T
），连接在
RT引脚与GND或VCC 。自从RT引脚保持在固定的电压（典型值1.235V ），则频率变化
成比例地从当前sinked （强制）（入）管脚。
特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销sinked ） ，根据本
下列关系式：
4.94
10
f
S
=
200kH
+ -------------------------
R
T
(
k
)
6
连接的RT到VCC = 12V或至VCC = 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据
下列关系式：
5/20
