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HYS64D128021[H/G]BDL–[5/6]–B
小外形封装DDR SDRAM模块
电气特性
表7
参数
输入漏电流
电气特性及直流工作条件
（续）
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
2
A
任何输入0 V
≤
V
IN
≤
V
DD
;
所有其它引脚没有测试
= 0 V
8)9)
的DQ被禁用;
0 V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
–2
单位注/测试条件
1)
I
I
输出漏电流
高输出电流，
一般强度驱动程序
输出低
目前，普通强度
司机
1) 0
°C ≤
T
A
≤
70
°C
I
OZ
I
OH
I
OL
–5
—
16.2
5
–16.2
—
A
mA
mA
V
OUT
= 1.95 V
V
OUT
= 0.35 V
2 ） DDR400的条款适用于所有的时钟频率超过166 MHz的
3 ）在任何条件下，
V
DDQ
必须小于或等于
V
DD
.
4 ）峰 - 峰交流噪声的
V
REF
可能不超过±2％
V
REF （ DC ）
.
V
REF
也有望在跟踪噪声的变化
V
DDQ
.
5)
V
TT
不直接向设备施加。
V
TT
是预期的系统供应信号端接电阻，可设定等于
to
V
REF
的，必须跟踪变化的DC电平
V
REF
.
6)
V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK上的输入电平之间的差的量值。
7）的上拉电流的下拉电流的比率被指定为相同的温度和电压，在整个
温度和电压范围内，对装置的漏 - 源电压为0.25 1.0V。对于给定的输出，它代表
之间的上拉和下拉驱动器由于工艺变化的最大区别。
8 ）输入无法识别为有效，直到
V
REF
稳定。
9 ）的值是每个组件显示
数据表
13
修订版0.5 ， 2003-12
