UTRON
修订版1.1
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5)
UT61L256C
32K ×8位高速CMOS SRAM
t
地址
t
CE
t
CW
AW
WC
t
WE
AS
t
t
t
WHZ
WP
WR
t
高-Z
OW
DOUT
DIN
(4)
(4)
t
DW
t
数据有效
DH
写周期2
(
CE
控制）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS
t
CW
t
WP
t
WHZ
t
WR
WE
DOUT
高-Z
t
DW
DIN
数据有效
t
DH
注意事项：
1.
WE
和
CE
必须在所有的地址转换为高。
低重叠期间发生2.写
CE
和一个低
WE
.
3.在一
WE
控制的写周期
OE
低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以使驾驶者
关闭和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并输入singals不能被应用。
5.如果
CE
同时发生或后低的转变
WE
低跳变时，输出保持在高
阻抗状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±
为500mV从稳定状态。
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