UTRON
修订版1.1
UT61L256C
32K ×8位高速CMOS SRAM
电容
(T
A
=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
=-4mA/8mA
AC电气特性
(T
A
= 0
℃
70
℃
(C) / -25
℃
85
℃
(E) )
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
SYMBOL UT61L256C - 10 UT61L256C - 12 UT61L256C - 15
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
10
-
-
-
2
0
-
-
1
-
10
10
5
-
-
5
5
-
12
-
-
-
3
0
-
-
3
-
12
12
6
-
-
6
6
-
15
-
-
-
4
0
-
-
3
-
15
15
7
-
-
7
7
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SYMBOL UT61L256C - 10 UT61L256C - 12 UT61L256C - 15
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
10
8
8
0
8
0
6
0
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
12
10
10
0
9
0
7
0
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
15
12
12
0
10
0
8
0
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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