UTRON

修订版1.1

UT61L256C

32K ×8位高速CMOS SRAM

时序波形

读周期1

（地址控制）

(1,2,4)

t

RC

地址

t

AA

t

OH

t

OH

DOUT

数据有效

读周期2

(

CE

和

OE

控制）

(1,3,5,6)

t

地址

RC

CE

t

AA

t

ACE

OE

t

CLZ

DOUT

高-Z

t

OE

t

OLZ

t

OH

t

CHZ

t

OHZ

高-Z

数据有效

注意事项：

1.

WE

为高的读周期。

2.设备不断选择

CE

=V

IL 。

3.地址必须是之前还是一致有效

CE

过渡;否则吨

AA

是限制参数。

4.

OE

是低的。

5. t

CLZ

, t

OLZ

, t

CHZ

和T

OHZ

用C指定

L

= 5pF的。过渡测

±

为500mV从稳定状态。

6.在任何给定的温度和电压条件下，叔

CHZ

小于吨

CLZ

, t

OHZ

小于吨

OLZ 。

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