UTRON
修订版1.1
UT61L256C
32K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最大额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
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EXTENDED
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到+4.5
0至+70
-25至+85
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值，设备或高于任何其他条件的功能操作标明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
延长期限可能会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高 - z
高 - z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
注：H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
(T
A
= 0
℃
70
℃
(C) / -25
℃
85
℃
(E) )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
符号测试条件
V
CC
V
IH
V
IL
I
LI
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
I
LO
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE
= V
IL
I
OH
= - 4毫安
I
OL
= 8毫安
- 10
CE = V
白细胞介素，
I
I / O
=
0mA
- 12
周期=最小值。
- 15
CE = V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
分钟。典型值。马克斯。
3.0
3.3
3.6
2
-
-
-
-
0.8
-1
-
1
-1
-
1
单位
V
V
V
A
A
输出高电压
输出低电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB
I
SB1
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
60
50
40
10
-
-
0.4
75
60
50
15
3
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1.过冲： VCC + 3.0V的脉冲宽度小于8ns的。
2.冲：VSS - 3.0V的脉冲宽度小于8ns的。
3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
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