恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
表8 。
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
su
建立时间
条件
民
D，一个埃镑;
SEE
图10
和
图11
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
h
保持时间
D钮LE ;看
图10
和
图11
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
一个埃镑;看
图10
和
图11
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
动力
耗散
电容
传播
延迟
f
i
= 1 MHz的;
V
I
= GND到V
CC
[4]
25
C
典型值
[1]
最大
40 C
+85
C 40 C
+125
C
单位
民
最大
民
最大
80
16
14
19
7
6
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
0
0
0
19
6
5
-
-
-
0
0
0
-
-
-
0
0
0
-
-
-
ns
ns
ns
2
2
2
-
11
4
3
19
-
-
-
-
2
2
2
-
-
-
-
-
2
2
2
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
pF
74HCT259
t
pd
至Qn ;看
图6
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
一到Qn ;看
图7
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
LE至Qn ;看
图8
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
t
PHL
前高后低
传播
延迟
转换时间
脉冲宽度
MR到Qn ;看
图9
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
SEE
图8
V
CC
= 4.5 V
t
W
乐高或低;
SEE
图8
V
CC
= 4.5 V
MR低;看
图9
V
CC
= 4.5 V
18
10
-
23
-
27
-
ns
19
11
-
24
-
29
-
ns
[3]
[2]
[2]
[2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
20
25
20
22
20
23
20
7
39
-
41
-
38
-
39
-
15
-
-
49
-
51
-
-
59
-
62
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
-
48
-
49
-
19
-
-
-
-
-
-
-
57
-
59
-
22
t
t
74HC_HCT259
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