恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
V
CC
LE输入
GND
V
M
t
su
V
CC
D输入
GND
V
M
t
su
t
h
t
h
V
OH
QN输出
V
OL
001aah125
Q ？d
V
M
Q ？d
在测量点中给出
表9 。
的阴影部分表示当输入允许改变用于预测的输出性能。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图10.数据输入到锁存器的使能输入的建立时间和保持时间
V
CC
输入
GND
V
M
解决稳定
t
su
V
CC
t
h
LE输入
GND
V
M
001aah126
在测量点中给出
表9 。
的阴影部分表示当输入允许改变用于预测的输出性能。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图11.输入地址锁存使能输入的建立和保持时间
表9 。
TYPE
74HC259
74HCT259
测量点
输入
V
M
0.5V
CC
1.3 V
产量
V
M
0.5V
CC
1.3 V
V
X
0.1V
CC
0.1V
CC
V
Y
0.9V
CC
0.9V
CC
74HC_HCT259
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启5 - 2012年8月7日
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