
恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
表8 。
动态特性
- 续
电压参考GND(地= 0V) ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
su
建立时间
条件
民
D,一个埃镑;
SEE
图10
和
图11
V
CC
= 4.5 V
t
h
保持时间
D钮LE ;看
图10
和
图11
V
CC
= 4.5 V
一个埃镑;看
图10
和
图11
V
CC
= 4.5 V
C
PD
动力
耗散
电容
f
i
= 1 MHz的;
V
I
= GND到V
CC
1.5 V
[4]
25
C
典型值
[1]
最大
40 C
+85
C 40 C
+125
C
单位
民
最大
民
最大
17
10
-
21
-
26
-
ns
0
8
-
0
-
0
-
ns
0
-
4
19
-
-
0
-
-
-
0
-
-
-
ns
pF
[1]
[2]
[3]
[4]
典型值是在标称电源电压测量(V
CC
= 3.3 V和V
CC
= 5.0 V).
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
) =的输出的总和。
11.波形
V
CC
D输入
GND
t
PHL
V
OH
QN输出
V
OL
V
M
001aah123
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图6 。
数据输入到输出的传播延迟
74HC_HCT259
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启5 - 2012年8月7日
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