恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
V
CC
输入
GND
t
PHL
V
OH
QN输出
V
OL
V
M
001aah122
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图7 。
地址输入到输出的传播延迟
V
CC
D输入
GND
V
CC
LE输入
GND
t
W
t
PHL
V
OH
QN输出
V
OL
V
Y
V
M
V
X
t
THL
t
TLH
001aaj446
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图8 。
使能输入到输出的传播延迟和脉冲宽度
V
CC
MR输入
GND
t
W
t
PHL
V
OH
QN输出
V
OL
V
M
001aah124
V
M
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图9 。
主复位输入到输出的传播延迟
74HC_HCT259
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启5 - 2012年8月7日
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