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恩智浦半导体
BUK7Y7R8-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 7.8 mΩ的标准电平MOSFET
240
I
D
(A)
160
003aai752
5
V
GS （ TH）
(V)
4
003aah027
最大
3
典型值
2
民
80
T
j
= 175 °C
T
j
= 25 °C
0
0
4
6
V
GS
(V)
8
0
-60
0
60
120
180
1
T
j
(°C)
图。 8 。
传输特性;漏电流作为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
图。 9 。
栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
10
-1
I
D
(A)
10
-2
民
典型值
最大
003aah028
20
R
DSON
(mΩ )
15
5
5.5
6
003aai755
10
-3
6.5
10
7
10
-4
5
V
GS
(V) = 10
10
-5
10
-6
0
2
4
V
GS
(V)
6
0
0
50
100
I
D
(A)
150
图。 10.亚阈值漏电流的函数
栅源电压
T
j
= 25°C ;吨
p
= 300 μs
图。 11.漏源通态电阻为一个函数
漏电流;典型值
BUK7Y7R8-80E
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二〇一三年二月二十零日
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