位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第289页 > BUK7Y7R8-80E > BUK7Y7R8-80E PDF资料 > BUK7Y7R8-80E PDF资料1第4页
恩智浦半导体
BUK7Y7R8-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 7.8 mΩ的标准电平MOSFET
10
3
I
AL
(A)
10
2
003aai746
10
(1)
(2)
1
(3)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图。 3 。
雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10 s
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
003aai747
1
10
-1
10
-2
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图。 4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
图。五
民
-
典型值
-
最大
0.63
单位
K / W
BUK7Y7R8-80E
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
保留NXP B.V. 2013年所有权利
产品数据表
二〇一三年二月二十零日
4 / 13
