BUK7Y7R8-80E
二〇一三年二月二十零日
LF
PA
K
N沟道80 V，在LFPAK56 7.8 mΩ的标准电平MOSFET
产品数据表
1.概述
使用在LFPAK56 （ SO8功率）封装标准水平的N沟道MOSFET
的TrenchMOS技术。该产品的设计和符合AEC Q101
标准用于高性能汽车应用。
2.特点和好处科幻TS
Q101标准
额定重复性雪崩
适于由于175℃的评价热苛刻的环境
与V真正的标准电平门
GS （ TH）
大于1伏的等级在175℃下
3.应用
12 V ， 24 V和48 V汽车系统
电机，灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
4.快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
条件
T
j
= 25°C ;吨
j
≤ 175 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
图。 1
T
mb
= 25 °C;
图。 2
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
图。 11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 64 V;
T
j
= 25 °C;
图。 13 ;图。 14
[1]
连续电流通过封装的限制。
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
80
100
238
单位
V
A
W
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
-
5.9
7.8
mΩ
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
-
17
-
nC
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BUK7Y7R8-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 7.8 mΩ的标准电平MOSFET
5.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
1 2 3 4
G
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
S
LFPAK ;电源 -
SO8 （ SOT669 ）
6.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK7Y7R8-80E
LFPAK ;
Power-SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
7，打标
表4 。
标记代码
标识代码
77E880
类型编号
BUK7Y7R8-80E
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
条件
T
j
= 25°C ;吨
j
≤ 175 °C
R
GS
= 20 kΩ
T
j
≤ 175 ℃; DC
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
图。 1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V;
图。 1
I
DM
P
合计
T
英镑
BUK7Y7R8-80E
民
-
-
-20
[1]
[1]
最大
80
80
20
100
78
441
238
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
-
-
-
-
-55
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
T
mb
= 25°C ;脉冲;吨
p
≤ 10 s;
图。 4
T
mb
= 25 °C;
图。 2
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符号
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
参数
结温
条件
民
-55
最大
175
单位
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤ 10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 100 A; V
SUP
= 80 V ;
GS
= 50 Ω;
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开;
图。 3
[1]
[2]
[3]
150
I
D
(A)
100
[1]
-
-
100
441
A
A
雪崩耐用性
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[2][3]
-
148
mJ
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
003aai745
120
P
DER
(%)
80
03aa16
(1)
50
40
0
0
50
100
150
T
mb
(° C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
（ 1 ）上限为100A ，由于包
图。 1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图。 2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
3
I
AL
(A)
10
2
003aai746
10
(1)
(2)
1
(3)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图。 3 。
雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10 s
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
003aai747
1
10
-1
10
-2
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图。 4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
图。五
民
-
典型值
-
最大
0.63
单位
K / W
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1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003aai643
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-2
0.02
P
δ=
T
tp
单发
tp
t
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图。 5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
10.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
图。 9 ;图。 10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
图。 9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
图。 9
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
I
GSS
栅极漏电流
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
图。 11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175 °C;
图。 11 ;图。 12
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
BUK7Y7R8-80E
民
80
72
2.4
-
1
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
3
-
-
0.13
-
2
2
5.9
-
最大
-
-
4
4.5
-
10
500
100
100
7.8
19.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
mΩ
mΩ
静态特性
V
GS （ TH）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 25 A; V
DS
= 64 V; V
GS
= 10 V;
T
j
= 25 °C;
图。 13 ;图。 14
-
-
-
63.3
17.3
17
-
-
-
nC
nC
nC
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QQ：2881677436 复制
