位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第289页 > BUK7Y7R8-80E > BUK7Y7R8-80E PDF资料 > BUK7Y7R8-80E PDF资料1第3页
恩智浦半导体
BUK7Y7R8-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 7.8 mΩ的标准电平MOSFET
符号
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
参数
结温
条件
民
-55
最大
175
单位
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤ 10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 100 A; V
SUP
= 80 V ;
GS
= 50 Ω;
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开;
图。 3
[1]
[2]
[3]
150
I
D
(A)
100
[1]
-
-
100
441
A
A
雪崩耐用性
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[2][3]
-
148
mJ
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
003aai745
120
P
DER
(%)
80
03aa16
(1)
50
40
0
0
50
100
150
T
mb
(° C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
（ 1 ）上限为100A ，由于包
图。 1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图。 2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
BUK7Y7R8-80E
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
保留NXP B.V. 2013年所有权利
产品数据表
二〇一三年二月二十零日
3 / 13
