BC847S
公司Bauelemente
NPN硅
多芯片晶体管
特性，端子TERIS TICS ELATI VE价值AT＆T
A
= 25 C
恒增益轮廓
带宽积（F
T
)
V
CE
- 集电极电压（ V）
10
7
5
150兆赫
175兆赫
归一化的搜集或-截止电流
VS环境温度
°
100
1000
100
3
2
125兆赫
100兆赫
75兆赫
10
1
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
噪声系数与频率
10
NF - 噪声系数（dB ）
I
C
= 200
A,
R
S
= 10 k
I
C
= 100
A,
R
S
= 10 k
I
C
= 1.0毫安，
R
S
= 500
4
I
C
= 1.0毫安，
R
S
= 5.0 k
V
CE
= 5.0V
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
的F - 频率（MHz）
10
100
NF - 噪声系数（dB ）
5
宽带噪声频率
VS源电阻
V
CE
= 5.0 V
8
4
3
2
1
0
带宽= 15.7千赫
6
I
C
= 100
A
I
C
= 30
A
2
I
C
= 10
A
2,000
5,000
10,000
20,000
50,000
100,000
1,000
R
S
- 源电阻（
)
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
500
400
SC70-6
300
200
100
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006年修订版
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