BC847S
公司Bauelemente
NPN硅
多芯片晶体管
典型特征
1200
1000
800
600
25 °C
125 °C
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
V
CE
= 5.0 V
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
125 °C
β
= 10
0.15
0.1
0.05
0.1
25 °C
- 40 °C
400
- 40 °C
200
0
0.01 0.03
0.1 0.3
1
3
10
30
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
V
BESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
1
- 40 °C
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 °C
- 40 °C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
25 °C
125 °C
β
= 10
0.4
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
40
特性，端子TERIS TICS ELATI VE价值AT＆T
A
= 25 C
恒增益轮廓
带宽积（F
T
)
V
CE
- 集电极电压（ V）
10
7
5
150兆赫
175兆赫
归一化的搜集或-截止电流
VS环境温度
°
100
1000
100
3
2
125兆赫
100兆赫
75兆赫
10
1
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
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01 -JAN- 2006年修订版
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