BC847S
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
多芯片晶体管
SOT-363
.055(1.40)
.047(1.20)
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
8
o
0
o
*
特点
功耗
P
CM
： 0.3 W（ 。夯实= 25℃）
O
.053(1.35)
.045(1.15)
集电极电流
I
CM
: 0.2 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 50 V
操作&存储结温
T
j
, T
英镑
: -55 C~ +150 C
O
O
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
C
1
B
2
E
2
.043(1.10)
.035(0.90)
E
1
B
1
C
2
尺寸以英寸（毫米）
电气特性（环境温度Tamb = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)(2)
V
BE
基射极电压
V
BE(2)
跃迁频率
集电极输出电容
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
O
IC 。
10
μA ，我
E
=0
IC 。
10
妈，我
B
=0
I
E
=
10
μA ，我
C
=0
V
CB
=
30
V，I
E
=0
V
CE
=
5
V，I
C
=
2
mA
I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
妈，我
B
=5mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
2
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
10
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
20
毫安， F =
100
兆赫
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
50
45
6
15
110
630
0.25
0.65
0.7
0.77
200
2
nA
V
V
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006年修订版
B
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3
