BC846 BC850 ...
BC846 BC850 ...
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-06-02
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC846
BC847
BC850
45 V
50 V
6V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC848
BC849
30 V
30 V
5V
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
T
j
T
S
65 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 A
A组
B组
C组
A组
B组
C组
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
110
200
420
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90
150
270
180
290
520
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
马克斯。
–
–
–
220
450
800
250毫伏
600毫伏
–
–
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC846 BC850 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 30 V ， （E打开）
V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200 μA ，R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC846 BC848 ...
BC849 BC850 ...
F
F
R
THA
–
–
2分贝
1.2分贝
< 420 K / W
1
)
BC856 BC859 ...
BC846A 1A =
BC847A 1E =
BC848A = 1J
BC846B 1B =
BC847B 1F =
BC848B = 1K
BC849B = 2B
BC850B = 2F
BC847C = 1G
BC848C = 1L
BC849C = 2C
BC850C = 2G
10分贝
4分贝
C
EB0
–
9 pF的
–
C
CBO
–
3.5 pF的
6 pF的
f
T
–
300兆赫
–
I
EB0
–
–
100 nA的
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
15 nA的
5 A
V
BE
V
BE
580毫伏
–
660毫伏
–
700毫伏
720毫伏
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbare Stromverstrkungs-
GRUPPEN亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BC847S
BC847S
E2
B2
C1
SC70-6
马克： 1C
针＃ 1
C2
B1
E1
注：该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的，并且不会影响到
该装置的功能。
NPN多芯片通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用集电极
电流为200毫安。从工艺07采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
45
50
50
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
V
mA
°C
4
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
BC847S
300
2.4
415
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Rev.A1
BC847S
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
V
BESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
1
- 40 °C
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 °C
- 40 °C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
25 °C
125 °C
β
= 10
0.4
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
40
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
10
V
CB
= 45V
电容（pF）
4
3
5
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
1
科特
2
1
0
OB
4
20
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
0
4
8
12
16
反向偏置电压（V）的
V
CE
- 集电极电压（ V）
10
7
5
150兆赫
175兆赫
特性，端子TERIS TICS ELATI VE价值AT＆T
A
= 25 C
恒增益轮廓
带宽积（F
T
)
归一化的搜集或-截止电流
VS环境温度
°
100
1000
100
3
2
125兆赫
100兆赫
75兆赫
10
1
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H4牧师
BC846S ... BC848S
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
尺寸/集体单位为毫米
2
±0.1
6.5
6
版本2004-04-09
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
310毫瓦
SOT-363
0.01 g
6.5
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
±0.1
2.1
TYPE
CODE
1
2
3
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
2.4
6 = C1
1 = E1
5 = B2
2 = B1
4 = E2
3 = C2
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BC846S
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC847S
45 V
50 V
6V
310毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC848S
30 V
30 V
5V
特性（T
j
= 25
/
C)
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
h
FE
h
FE
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
（典型值） 。 90 ... 270
110 ... 800
（典型值） 。 220 ... 600
1.6 ... 15 k
S
18 ...110
:
S
typ.1.5 ... 3 * 10
-4
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
1
12
通用晶体管
BC846S ... BC848S
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
F
–
R
THA
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
I
EB0
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BEON
V
BEON
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
580毫伏
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
–
–
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
–
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
集电极 - 基极Capacit 。 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
2分贝
10分贝
420 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
穿针 - Anschlubelegung
6
5
4
BC856S ... BC858S
T1
T2
1
2
3
1
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
13
BC847S
NPN硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
4
5
6
2
1
C1
6
B2
5
E2
4
3
VPS05604
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07178
TYPE
BC847S
最大额定值
参数
记号
1Cs
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
45
50
50
6
100
200
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
140
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BC 847S
NPN硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
具有高匹配在一个封装
TYPE
BC 847S
记号
1Cs
订购代码
Q62702-C2372
引脚配置
1/4=E1/E2
2/5=B1/B2
3/6=C2/C1
包
SOT-363
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
符号
价值
45
50
50
6
100
200
250
150
- 65...+150
mW
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
R
thJA
R
thjs
≤275
≤140
K / W
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米2铜
半导体集团
1
May-12-1998
BC847S
BC847S
E2
B2
C1
SC70-6
马克： 1C
针＃ 1
C2
B1
E1
注：该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的，并且不会影响到
该装置的功能。
NPN多芯片通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用集电极
电流为200毫安。从工艺07采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
45
50
50
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
V
mA
°C
4
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
BC847S
300
2.4
415
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Rev.A1
BC847S
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
V
BESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
1
- 40 °C
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 °C
- 40 °C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
25 °C
125 °C
β
= 10
0.4
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
40
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
10
V
CB
= 45V
电容（pF）
4
3
5
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
1
科特
2
1
0
OB
4
20
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
0
4
8
12
16
反向偏置电压（V）的
V
CE
- 集电极电压（ V）
10
7
5
150兆赫
175兆赫
特性，端子TERIS TICS ELATI VE价值AT＆T
A
= 25 C
恒增益轮廓
带宽积（F
T
)
归一化的搜集或-截止电流
VS环境温度
°
100
1000
100
3
2
125兆赫
100兆赫
75兆赫
10
1
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H4牧师
BC846S / BC846U / BC847S
NPN硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
BC846S / U ， BC847S ：对于方位盘看
下面的包信息
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BC846S
BC846U
BC847S
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07178
TYPE
BC846S
BC846U
BC847S
1
含有铅，
记号
1Ds
1Ds
1Cs
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
包可能是可根据特殊要求
1
2008-05-06
QQ：2881677436 复制
