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TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
发射机
逻辑CMOS高/低决定
门槛
逻辑低变送器输入电压
V
IL
（ TXD）处
V
IL
（ TXD）处
0
0.8*)
V
逻辑
400
110
23
1.45
210
880
45
0.04
25
t
j
0.2
250
320
80
1.75
226
40
900
1/2xV
逻辑
0.2*)
V
逻辑
V
逻辑
+0.5
V
V
V
mA
毫瓦/ SR
s
s
ns
ns
nm
nm
μW / SR
%
s
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逻辑高变送器输入电压1.5 V < V
逻辑
< 3.6 V V
IH
（ TXD）处
电流限制
输出辐射强度， |α|
≤ ±15°
标准MIR水平
最大输出脉冲宽度
（人眼安全保护）
光脉冲宽度
光学上升/下降时间
发射的峰值波长
光谱光辐射
带宽
输出辐射强度
过冲，光
上升沿峰峰值抖动
TXD逻辑低电平
V
dd1
= 3.3 V
I
F6
= 400毫安
电阻限制
P
WI
> 23
s
P
WI
= 1.6
s
P
WI
= 217纳秒
I
F
I
e
P
WOmin
P
WO
P
WO
t
r
, t
f
λ
p
λ
*)
开关，电流可以通过外部电阻器，内部电流限制到500 mA的峰值被定义
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
