TFDU5107
威世半导体
薄型收发模块用于电信应用
9.6 kbit / s到1.152 Mbit / s的数据传输速率
描述
在公知的婴儿缩微TFDU5107
面包是一个理想的收发信机的应用
在诸如移动电话，寻呼机电信，
及各种掌上电脑。该装置被设计为
最佳性能和最小封装尺寸。
该设备包括了IrDA
物理层规范
具有高达1.152兆比特/秒（ MIR ） 。
电流限制器的实现来操作的设备
没有在一个IrDA兼容模式下外部电阻
（ > 1米） 。为了减少电流的“低功耗”
模式中的限流电阻可能会增加。
该装置涵盖了从5.5 V电源电压
降到2.4 V和其低功耗它
是最佳的适合于电池供电的应用。
通过脉冲宽度双眼睛的安全保护，
电流限制被集成。
18102
特点
??包装：
TFDU5107通用（娃娃脸）
SMD侧面和顶视图焊
e3
内置红外发光二极管电流限制
无需外部电阻器进行操作。
随着外部电阻适用于功率降低
操作IrDA的“低功耗”的标准
宽电源电压范围（ 2.4 V至5.5 V ）
操作低至2.0 V
逻辑输入和输出电压1.5 V至5.5 V
由外部控制引脚设置
三 - 状态 - 接收器输出
最低的功耗，典型值为500
μA
in
接收模式， <1 μA关机
最少的外部元件
高EMI抗扰性
眼睛安全防护综合
引脚分配向后兼容以前的
娃娃脸包
分割电源，发射器和接收器可以
从withrelaxed两个电源操作
要求节约成本，美国专利号
6,157476
铅（Pb ） - 免费的设备
设备在accordabce RoHS指令2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
移动电话，寻呼机，手持式电池
供电设备
计算机（ WinCE的， PalmPC ，掌上电脑）
数码相机和摄像机
扩展红外适配器
医疗和工业数据采集
零件表
部分
TFDU5107-TR3
TFDU5107-TT3
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
1000个。
1000件
数量/卷
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
www.vishay.com
1
TFDU5107
威世半导体
绝对最大额定值
参考点接地，引脚8 ，除非另有说明
参数
电源电压范围
测试条件
0 V＆ LT ; V
dd2
＆ LT ; 6 V
0 V＆ LT ; V
dd1
＆ LT ; 6 V
0 V＆ LT ; V
dd2
< 6 V ， 0 V < V
dd1
＆ LT ; 6 V
输入电流
输出吸收电流， RXD
众议员脉冲红外发光二极管电流
平均电流IRED
功耗
结温
环境温度范围
（操作）
存储温度范围
焊接温度
发送数据和关机
输入电压
接收器的数据输出电压
虚拟源大小
最大强度为1级
IEC825的操作或
EN60825
1)
符号
V
dd1
V
dd2
V
逻辑
民
- 0.5
- 0.5
- 0.5
典型值。
最大
6
6
6
10
25
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
V
V
mm
所有的引脚（引脚1除外）
引脚4
引脚1 ，T
on
< 20％ < 20
μs
I
红外发光二极管（ RP ）
I
红外发光二极管（ DC ）
P
合计
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐
焊接温度曲线
2.4 V < V
dd1
＆ LT ; 5.5 V
V
TXD
, V
SD
V
RXD
制法：（ 1 - 1 / E）包围
能源
IEC60825-1或
EN60825-1 ，版2001年1月
d
- 0.5
- 0.5
2.5
2.8
- 25
- 25
500
125
450
125
+ 85
+ 85
260
6
V
逻辑
+ 0.5
320
1)
毫瓦/ SR
由于该协议实际IRDA
在SIR和MIR模式数据传输具有'0'和'1'的数据平均分配的，因此下限为
2典型地一个因素比实验室测试的值大。该装置由一个内部免受TXD短（单一故障状态）
关断时的脉冲持续时间被超过的脉冲持续时间最大的IrDA规范值。
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
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TFDU5107
威世半导体
电气特性
收发器
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
支持的数据速率， RXD
脉冲持续时间400纳秒
电源电压范围
电源电流接收模式
电源电流关断模式
平均电源电流
1)
,
标准MIR发射模式
I
e
>为100 mW / sr
测试条件
基带， SIR模式
基带， 1.152 Mbit / s的
指定的操作
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V ，
上述V
dd1
= 3.3 V
用于降低串联电阻
内部功耗
应来实现，
例如
L
= 2.7
Ω
V
dd1
I
S
I
SSD
I
S
符号
民
9.6
9.6
2.4
500
0.1
60
典型值。
最大
115.2
1152
5.5
900
1
110
单位
kbit / s的
kbit / s的
V
μA
μA
mA
关机/模式时钟脉冲
长短
关闭延时“接收关”
关机延迟“接收的”
收发器解决'上电'
时间
1)
t
PROG
t
PROG
t
PROG
从V切换时间
dd1
to
建立了指定的操作
0.2
1
40
20
1.5
100
50
μs
ms
μs
μs
最大数据为20％ （25％）工作循环的SIR （MIR 1.152兆比特/秒）的低功率模式。的典型值，给出了的情况下
分布 - 与统计和等于'0 '和' 1 '正常运行。
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文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
TFDU5107
威世半导体
光电特性
接收器
V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
最低检测阈值
辐照SIR
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的
1)
最低检测阈值
辐射
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的
1)
最大检测阈值
辐射
逻辑低接收器输入
辐射
输出电压RXD
活跃，
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
不活跃，
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
输出电流RXD
上升时间的负载
下降时间在负载
RXD信号输出电
脉冲宽度
潜伏期
1)
测试条件
|
α
|
≤
± 15 °,
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
|
α
|
≤
± 15 °,
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
|
α
|
≤
± 90 °, V
dd1
= 5 V
|
α
|
≤
± 90 °, V
dd1
= 3 V
符号
E
E，分
民
典型值。
20
最大
35
单位
毫瓦/米
2
E
E，分
50
80
毫瓦/米
2
E
E，最大
E
E，最大
E
E，最大值，低
V
OL
V
OH
3300
8000
4
5000
15000
瓦/米
2
瓦/米
2
毫瓦/米
2
0.5
V
逻辑
- 0.5
0.8
V
V
V
OL
＆ LT ; 0.8 V
C = 15 pF的， R = 2.2 kΩ的，
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
C = 15 pF的， R = 2.2 kΩ的，
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
t
r
t
f
t
p
t
L
20
20
300
400
100
4
70
70
500
200
mA
ns
ns
ns
μs
RXD输出脉冲的持续时间400纳秒
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
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TFDU5107
威世半导体
综合薄型收发模块
用于电信应用
9.6 kbit / s到1.152 Mbit / s的数据传输速率
描述
在公知的婴儿缩微TFDU5107
面包是一个理想的收发信机的应用
在诸如移动电话，寻呼机电信，
及各种掌上电脑。该装置被设计为
最佳性能和最小封装尺寸。
该设备包括了IrDA
实体层
规格与SIR规范和1.152 Mbit / s的
红外
模式。
新功能
电流限制器的实现来操作的设备
在一个IrDA兼容模式whitout外部电阻
（ > 1米） 。为了减少电流的“低功耗”
模式中的限流电阻可能会增加。
该设备包括电源电压
从3.6 V
下降到2.4 V
和与它
低功耗
这是最佳的适合于电池供电的应用。
通过脉冲宽度双眼睛的安全保护，
电流限制被集成。
作为附加特征的逻辑电压摆幅V
逻辑
可在外部设定。
特点
D
包装：
–
TFDU5107通用（娃娃脸）
–
SMD侧面和顶视图焊
D
内置红外发光二极管的电流limition无需操作
外部电阻。随着外部电阻适用
功率降低操作IrDA的“低功耗”
标准
D
宽电源电压范围（ 2.4 V至3.6 V）
D
操作下降到2.0V的
D
逻辑输入和输出电压1.5 V至5.5 V
由外部控制引脚设置
D
三 - 状态 - 接收器输出
D
最低的功耗，典型值为500
A
in
接收模式， <1
A
关机，
仅载明5毫安平均电流消耗
在SIR和1.152 Mbit / s的传输模式低
电源的IrDA模式
D
最少的外部元件
D
高EMI抗扰性
D
眼睛安全防护综合
D
引脚分配向后兼容以前的
娃娃脸包
应用
D
移动电话，寻呼机，手持式电池
供电设备
D
电脑（ WinCE的， PalmPC ，掌上电脑）
D
数码相机与摄像机
D
扩展红外适配器
D
医疗和工业数据采集
包
TFDU5107
娃娃脸（环球）
文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
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TFDU5107
威世半导体
订购信息
产品型号
TFDU5107–TR3
TFDU5107–TT3
数量/卷
1000件
1000件
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
功能框图
V
CC
V
逻辑
司机
扩音器
比较
RXD
红外发光二极管的阳极
SD
TXD
AGC
逻辑
电流控制
司机
红外发光二极管的阴极
GND
图1.功能框图
引脚说明
引脚数
1
描述
I / O
IRED阳极在外部连接到直接到V
CC
.
替代地，电流可以减小由外部
resistor.This销允许被从不受控制的供给
从控制V分离式供电
CC
供应
红外发光二极管阴极红外发光二极管的阴极，内部连接到驱动器晶体管
TXD
发送数据输入
I
RXD
收到的数据输出，推挽式CMOS驱动器输出能够
的驱动标准的CMOS或TTL负载。无外部上拉
或下拉电阻。引脚浮动弱
上拉至V
CC
当器件处于关断模式。 RXD输出
是在传输过程中的安静。
SD
关机，会延迟一段时间后打开设备进入关断
I
1毫秒
V
CC
电源电压
V
逻辑
定义输入和输出逻辑摆幅电压
I
GND
地
娃娃脸（环球）
功能
红外发光二极管的阳极
活跃
2
3
4
高
低
5
6
7
8
高
图2.钢钉
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
收发器
支持的数据速率
RXD脉冲持续时间400纳秒
基带
SIR模式
基带
1.152 Mbit / s的
电源电压范围
电源电压
电源电流接收模式
电源电流关断模式
平均电源电流* ）
非标准MIR发射模式
I
e
>为100 mW / sr
指定的操作
V
dd2
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V ，
上述V
dd1
=3.3 V
用于降低串联电阻
内部功耗
应来实现，
例如
L
= 2.7
V
dd2
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
V
dd2
I
S
I
SSD
I
S
9.6
9.6
2.4
2.4
500
0.1
60
115.2
1152
3.6
3.6
900
1
110
kbit / s的
kbit / s的
V
V
A
A
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逻辑电压范围
关机/
模式时钟脉冲的持续时间
关闭延时“接收关”
关机延迟“接收的”
收发器的“开机”
建立时间
*)
V
逻辑
t
PROG
t
PROG
t
PROG
1.5
0.2
1
40
3.6
20
1.5
100
50
V
s
ms
s
s
从V切换时间
dd1
要建立
指定的操作
最大数据为20％ （25％）工作循环的SIR （MIR 1.152兆比特/秒）的低功率模式。典型的价值
给出了正常操作的统计和平等的“ 0”和“ 1 ”的情况 - 分布。
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
接收器
最低探
阈值的辐射SIR
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的* ）
最低探
辐照度阈值
9.6 kbit / s到1.152兆位/秒* ）
最大探测
辐照度阈值
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 5 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 3 V
逻辑低接收器输入
辐射
输出电压RXD
活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
非活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
输出电流RXD
V
OL
＆ LT ; 0.8 V
上升时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
下降时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
RXD信号的电
输出脉冲宽度
潜伏期
*)
RXD输出脉冲的持续时间400纳秒
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
t
r
t
f
t
p
t
L
20
20
300
400
100
E
E，分
20
35
毫瓦/米
2
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
E
E，分
50
80
毫瓦/米
2
E
E，最大
E
E，最大
E
E，最大值，低
V
OL
V
OH
3300
8000
4
5000
15000
瓦/米
2
瓦/米
2
毫瓦/米
2
0.5
V
逻辑
–0.5
0.8
V
V
4
70
70
500
200
mA
ns
ns
ns
s
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威世半导体
薄型收发模块用于电信应用
9.6 kbit / s到1.152 Mbit / s的数据传输速率
描述
在公知的婴儿缩微TFDU5107
面包是一个理想的收发信机的应用
在诸如移动电话，寻呼机电信，
及各种掌上电脑。该装置被设计为
最佳性能和最小封装尺寸。
该设备包括了IrDA
物理层规范
具有高达1.152兆比特/秒（ MIR ） 。
电流限制器的实现来操作的设备
没有在一个IrDA兼容模式下外部电阻
（ > 1米） 。为了减少电流的“低功耗”
模式中的限流电阻可能会增加。
该装置涵盖了从5.5 V电源电压
降到2.4 V和其低功耗它
是最佳的适合于电池供电的应用。
通过脉冲宽度双眼睛的安全保护，
电流限制被集成。
18102
特点
??包装：
TFDU5107通用（娃娃脸）
SMD侧面和顶视图焊
e3
内置红外发光二极管电流限制
无需外部电阻器进行操作。
随着外部电阻适用于功率降低
操作IrDA的“低功耗”的标准
宽电源电压范围（ 2.4 V至5.5 V ）
操作低至2.0 V
逻辑输入和输出电压1.5 V至5.5 V
由外部控制引脚设置
三 - 状态 - 接收器输出
最低的功耗，典型值为500
μA
in
接收模式， <1 μA关机
最少的外部元件
高EMI抗扰性
眼睛安全防护综合
引脚分配向后兼容以前的
娃娃脸包
分割电源，发射器和接收器可以
从withrelaxed两个电源操作
要求节约成本，美国专利号
6,157476
铅（Pb ） - 免费的设备
设备在accordabce RoHS指令2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
移动电话，寻呼机，手持式电池
供电设备
计算机（ WinCE的， PalmPC ，掌上电脑）
数码相机和摄像机
扩展红外适配器
医疗和工业数据采集
零件表
部分
TFDU5107-TR3
TFDU5107-TT3
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
1000个。
1000件
数量/卷
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
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1
TFDU5107
威世半导体
绝对最大额定值
参考点接地，引脚8 ，除非另有说明
参数
电源电压范围
测试条件
0 V＆ LT ; V
dd2
＆ LT ; 6 V
0 V＆ LT ; V
dd1
＆ LT ; 6 V
0 V＆ LT ; V
dd2
< 6 V ， 0 V < V
dd1
＆ LT ; 6 V
输入电流
输出吸收电流， RXD
众议员脉冲红外发光二极管电流
平均电流IRED
功耗
结温
环境温度范围
（操作）
存储温度范围
焊接温度
发送数据和关机
输入电压
接收器的数据输出电压
虚拟源大小
最大强度为1级
IEC825的操作或
EN60825
1)
符号
V
dd1
V
dd2
V
逻辑
民
- 0.5
- 0.5
- 0.5
典型值。
最大
6
6
6
10
25
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
V
V
mm
所有的引脚（引脚1除外）
引脚4
引脚1 ，T
on
< 20％ < 20
μs
I
红外发光二极管（ RP ）
I
红外发光二极管（ DC ）
P
合计
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐
焊接温度曲线
2.4 V < V
dd1
＆ LT ; 5.5 V
V
TXD
, V
SD
V
RXD
制法：（ 1 - 1 / E）包围
能源
IEC60825-1或
EN60825-1 ，版2001年1月
d
- 0.5
- 0.5
2.5
2.8
- 25
- 25
500
125
450
125
+ 85
+ 85
260
6
V
逻辑
+ 0.5
320
1)
毫瓦/ SR
由于该协议实际IRDA
在SIR和MIR模式数据传输具有'0'和'1'的数据平均分配的，因此下限为
2典型地一个因素比实验室测试的值大。该装置由一个内部免受TXD短（单一故障状态）
关断时的脉冲持续时间被超过的脉冲持续时间最大的IrDA规范值。
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
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3
TFDU5107
威世半导体
电气特性
收发器
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
支持的数据速率， RXD
脉冲持续时间400纳秒
电源电压范围
电源电流接收模式
电源电流关断模式
平均电源电流
1)
,
标准MIR发射模式
I
e
>为100 mW / sr
测试条件
基带， SIR模式
基带， 1.152 Mbit / s的
指定的操作
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V ，
上述V
dd1
= 3.3 V
用于降低串联电阻
内部功耗
应来实现，
例如
L
= 2.7
Ω
V
dd1
I
S
I
SSD
I
S
符号
民
9.6
9.6
2.4
500
0.1
60
典型值。
最大
115.2
1152
5.5
900
1
110
单位
kbit / s的
kbit / s的
V
μA
μA
mA
关机/模式时钟脉冲
长短
关闭延时“接收关”
关机延迟“接收的”
收发器解决'上电'
时间
1)
t
PROG
t
PROG
t
PROG
从V切换时间
dd1
to
建立了指定的操作
0.2
1
40
20
1.5
100
50
μs
ms
μs
μs
最大数据为20％ （25％）工作循环的SIR （MIR 1.152兆比特/秒）的低功率模式。的典型值，给出了的情况下
分布 - 与统计和等于'0 '和' 1 '正常运行。
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4
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
TFDU5107
威世半导体
光电特性
接收器
V
dd1
= 2.4 5.5 V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
最低检测阈值
辐照SIR
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的
1)
最低检测阈值
辐射
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的
1)
最大检测阈值
辐射
逻辑低接收器输入
辐射
输出电压RXD
活跃，
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
不活跃，
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
输出电流RXD
上升时间的负载
下降时间在负载
RXD信号输出电
脉冲宽度
潜伏期
1)
测试条件
|
α
|
≤
± 15 °,
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
|
α
|
≤
± 15 °,
V
dd1
= 2.4 V至5.5 V
|
α
|
≤
± 90 °, V
dd1
= 5 V
|
α
|
≤
± 90 °, V
dd1
= 3 V
符号
E
E，分
民
典型值。
20
最大
35
单位
毫瓦/米
2
E
E，分
50
80
毫瓦/米
2
E
E，最大
E
E，最大
E
E，最大值，低
V
OL
V
OH
3300
8000
4
5000
15000
瓦/米
2
瓦/米
2
毫瓦/米
2
0.5
V
逻辑
- 0.5
0.8
V
V
V
OL
＆ LT ; 0.8 V
C = 15 pF的， R = 2.2 kΩ的，
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
C = 15 pF的， R = 2.2 kΩ的，
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
t
r
t
f
t
p
t
L
20
20
300
400
100
4
70
70
500
200
mA
ns
ns
ns
μs
RXD输出脉冲的持续时间400纳秒
文档编号82534
修订版1.7 ， 05日-12月05
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TFDU5107
威世半导体
综合薄型收发模块
用于电信应用
9.6 kbit / s到1.152 Mbit / s的数据传输速率
描述
在公知的婴儿缩微TFDU5107
面包是一个理想的收发信机的应用
在诸如移动电话，寻呼机电信，
及各种掌上电脑。该装置被设计为
最佳性能和最小封装尺寸。
该设备包括了IrDA
实体层
规格与SIR规范和1.152 Mbit / s的
红外
模式。
新功能
电流限制器的实现来操作的设备
在一个IrDA兼容模式whitout外部电阻
（ > 1米） 。为了减少电流的“低功耗”
模式中的限流电阻可能会增加。
该设备包括电源电压
从3.6 V
下降到2.4 V
和与它
低功耗
这是最佳的适合于电池供电的应用。
通过脉冲宽度双眼睛的安全保护，
电流限制被集成。
作为附加特征的逻辑电压摆幅V
逻辑
可在外部设定。
特点
D
包装：
–
TFDU5107通用（娃娃脸）
–
SMD侧面和顶视图焊
D
内置红外发光二极管的电流limition无需操作
外部电阻。随着外部电阻适用
功率降低操作IrDA的“低功耗”
标准
D
宽电源电压范围（ 2.4 V至3.6 V）
D
操作下降到2.0V的
D
逻辑输入和输出电压1.5 V至5.5 V
由外部控制引脚设置
D
三 - 状态 - 接收器输出
D
最低的功耗，典型值为500
A
in
接收模式， <1
A
关机，
仅载明5毫安平均电流消耗
在SIR和1.152 Mbit / s的传输模式低
电源的IrDA模式
D
最少的外部元件
D
高EMI抗扰性
D
眼睛安全防护综合
D
引脚分配向后兼容以前的
娃娃脸包
应用
D
移动电话，寻呼机，手持式电池
供电设备
D
电脑（ WinCE的， PalmPC ，掌上电脑）
D
数码相机与摄像机
D
扩展红外适配器
D
医疗和工业数据采集
包
TFDU5107
娃娃脸（环球）
文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
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TFDU5107
威世半导体
订购信息
产品型号
TFDU5107–TR3
TFDU5107–TT3
数量/卷
1000件
1000件
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
功能框图
V
CC
V
逻辑
司机
扩音器
比较
RXD
红外发光二极管的阳极
SD
TXD
AGC
逻辑
电流控制
司机
红外发光二极管的阴极
GND
图1.功能框图
引脚说明
引脚数
1
描述
I / O
IRED阳极在外部连接到直接到V
CC
.
替代地，电流可以减小由外部
resistor.This销允许被从不受控制的供给
从控制V分离式供电
CC
供应
红外发光二极管阴极红外发光二极管的阴极，内部连接到驱动器晶体管
TXD
发送数据输入
I
RXD
收到的数据输出，推挽式CMOS驱动器输出能够
的驱动标准的CMOS或TTL负载。无外部上拉
或下拉电阻。引脚浮动弱
上拉至V
CC
当器件处于关断模式。 RXD输出
是在传输过程中的安静。
SD
关机，会延迟一段时间后打开设备进入关断
I
1毫秒
V
CC
电源电压
V
逻辑
定义输入和输出逻辑摆幅电压
I
GND
地
娃娃脸（环球）
功能
红外发光二极管的阳极
活跃
2
3
4
高
低
5
6
7
8
高
图2.钢钉
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A1.4版本， 01 -NOV- 02
TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
收发器
支持的数据速率
RXD脉冲持续时间400纳秒
基带
SIR模式
基带
1.152 Mbit / s的
电源电压范围
电源电压
电源电流接收模式
电源电流关断模式
平均电源电流* ）
非标准MIR发射模式
I
e
>为100 mW / sr
指定的操作
V
dd2
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V ，
上述V
dd1
=3.3 V
用于降低串联电阻
内部功耗
应来实现，
例如
L
= 2.7
V
dd2
= 2.4 V至3.6 V
V
dd1
V
dd2
I
S
I
SSD
I
S
9.6
9.6
2.4
2.4
500
0.1
60
115.2
1152
3.6
3.6
900
1
110
kbit / s的
kbit / s的
V
V
A
A
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逻辑电压范围
关机/
模式时钟脉冲的持续时间
关闭延时“接收关”
关机延迟“接收的”
收发器的“开机”
建立时间
*)
V
逻辑
t
PROG
t
PROG
t
PROG
1.5
0.2
1
40
3.6
20
1.5
100
50
V
s
ms
s
s
从V切换时间
dd1
要建立
指定的操作
最大数据为20％ （25％）工作循环的SIR （MIR 1.152兆比特/秒）的低功率模式。典型的价值
给出了正常操作的统计和平等的“ 0”和“ 1 ”的情况 - 分布。
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
TFDU5107
威世半导体
光电特性
T
AMB
= 25 ° C，V
dd1
= 2.4 3.6V，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
接收器
最低探
阈值的辐射SIR
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的* ）
最低探
辐照度阈值
9.6 kbit / s到1.152兆位/秒* ）
最大探测
辐照度阈值
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±15°
V
dd1
= 2.4 V至3.6 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 5 V
|α|
≤ ±90°
V
dd1
= 3 V
逻辑低接收器输入
辐射
输出电压RXD
活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
非活跃
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
输出电流RXD
V
OL
＆ LT ; 0.8 V
上升时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
下降时间@Load ：
C = 15 pF的， R = 2.2千欧
RXD信号的电
输出脉冲宽度
潜伏期
*)
RXD输出脉冲的持续时间400纳秒
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
1.5 V
≤
V
逻辑
≤
5.5 V
t
r
t
f
t
p
t
L
20
20
300
400
100
E
E，分
20
35
毫瓦/米
2
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
E
E，分
50
80
毫瓦/米
2
E
E，最大
E
E，最大
E
E，最大值，低
V
OL
V
OH
3300
8000
4
5000
15000
瓦/米
2
瓦/米
2
毫瓦/米
2
0.5
V
逻辑
–0.5
0.8
V
V
4
70
70
500
200
mA
ns
ns
ns
s
文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
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