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TFDU5107
威世半导体
鉴定
该装置的识别可以通过回顾
设置SD活跃，随后通过激活TXD为
短的时间。与TXD单一的下降缘
脉冲在RXD生成。
在SD的intendet激活关机功能
后的1毫秒的延迟。因此，完整的序列
应与1毫秒的时间限制来运行，请参阅
绘图。
t
SD
： > 5
ms
“真正的”关机> 1毫秒
SD
t
TXD
： > 0.5
ms
到2
ms
TXD
t
delTxd
:
≥
1
ms
t
delRxd
:
≥
10纳秒
t
RXD
= 400纳秒
RXD
图6 。
V
逻辑
环境
逻辑电压摆幅由施加外部电压至V设定
逻辑
引脚。
表1.真值表
输入
SD
TXD
光输入
辐射
毫瓦/米
2
x
x
x
x
<4
> 40
RXD
输出
LED驱动电流
导致强度
I
e
为mW / sr
0
0
10 <我
e
< 300定义
外部电阻
0
0
0
高< 1毫秒
高> 1毫秒
低
低
低
低
脉冲
x
高
高> 80
s
低
低
持续的低TXD单稳态触发器
编辑400 ns的低电平脉冲
浮动（ 500 kΩ到V
dd
)
高
高
高
低，脉搏400 ns的边沿触发
复位此输出
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
