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TFDU5107
威世半导体
附录
应用提示
该TFDU5107不需要任何外部元件
当在一个“干净”的电源操作。在一个更
电源嘈杂环境时，建议添加
一个电阻器和电容器的组合（ R1，C1 ，C2）的
为抑制噪声，如下面的图所示。一
对于低频组合电解的
范围和陶瓷电容器用于抑制
高频干扰将是最有效的。该
电容器C3是仅在必要时电感布线
使用或者电源不能提供的
工作峰值脉冲电流。
输入TXD和SD的高阻抗CMOS
输入。因此，从I / O线到那些输入
应精心设计，不去接环境
噪声。如果排长队时，负载在TXD输入
在TFDx5x07并在控制器的输入端RXD （ ！ ）
被推荐的。在红外发光二极管的阳极电压电源
线的附加电容可能是必要的时
电感布线使用。然而，低阻抗
布局是更好的，更具成本效益的解决方案。为
调整强度根据不同的应用，
见图表。
500
5.25V
400
强度（毫瓦/ SR ）
5.0V
300
200
100
0
0
15186
最大。强度
发射锥
"15°
分钟。
DSON
，分钟。 V
F
5.0V
max.R
DSON
， max.V
F
V
cc
=4.75V
分钟。排放强度锥
"15
°
2
4
6
8
10
12
14
16
电流控制电阻（
W
)
图8.强度I
e
与电流控制电阻R2
5 V应用
700
600
最大。强度
发射锥
"15°
分钟。
DSON
，分钟。 V
F
3.6V
3.3V
分钟。强度
发射锥
"15°
马克斯。
DSON
，最大值V
F
3.3V
V
cc
=3.0V
推荐线路图
C1, (C3): 4.7
F,
参见文本
C2 ： 470 nF的
R1
V
CC1
GND
RXD
V
CC2
TXD
SD
V
登录
C3
R2
4
1
3
5
7
RXD
VDD2 ， IRED阳极
TXD
SD
V
逻辑
15187
强度（毫瓦/ SR ）
500
400
300
200
100
0
0
TFDU5107
6
8
Vdd1
GND
C2
C1
2
4
6
8
10
12
电流控制电阻（
W
)
图9.强度I
e
与电流控制电阻R1 ，
3 V应用
潜伏期
图7.推荐应用电路
关闭
来关闭TFDx5x07进入待机模式的
SD引脚必须设置为活动。 <的1毫秒的延迟后，
将切换到待机模式。
接收器是在指定的条件下，定义后
潜伏期。在该时间之后的UART相关的应用
（一般为50
s)
接收器的UART的缓冲区必须
被清除。因此，收发信机必须等待在
收到的最后一个位后，至少在指定的等待时间
在开始传输之前，确保该
相应的接收器是在一个确定的状态。
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文档编号82534
A1.4版本， 01 -NOV- 02
