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FDB039N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.4
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.6
1.0
1.2
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
0.8
0.8
-80
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 75A
-40
0
40
80
120 160
o
T
J
，结温
[
C
]
200
0.4
-75
-25
25
75
125
175
o
T
J
，结温
[
C
]
225
图9.最高安全工作区
1000
100
μ
s
图10.最大漏极电流
与外壳温度
200
I
D
，漏电流[ A]
160
I
D
，漏电流[ A]
100
1ms
120
不限按包
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
单脉冲
10ms
100ms
1s
80
1
T
C
= 25 C
T
J
= 175 C
R
θ
JC
= 0.65 C / W
o
o
o
40
0.1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
100
0
25
50
75
100
125
150
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
175
图11.瞬态热响应曲线
1
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.65 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
0.001
-5
10
10
-4
10
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
1
10
FDB039N06版本C0
4
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