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FDB039N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
2012年5月
FDB039N06
N沟道的PowerTrench
MOSFET
60V ， 174A ， 3.9mΩ
特点
R
DS （ ON）
= 2.95mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体已被先进的PowerTrench工艺
特别是针对减少通态电阻，但
保持出色的开关性能。
应用
直流到直流转换器/同步整流
D
D
G
G
S
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
- 连续（T
C
= 25℃ ， Silicion有限公司）
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
o
参数
评级
60
±20
174*
123*
120
696
872
7.0
231
1.54
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
= 100℃ ， Silicion有限公司）
- 连续（T
C
= 25℃ ，封装有限公司）
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*
基于最大允许结温计算的连续电流。套餐限制电流为120A 。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（至少2盎司纯铜垫）
热阻，结到环境（ 1
2
2盎司纯铜垫）
评级
0.65
62.5
40
o
C / W
单位
2012仙童半导体公司
FDB039N06版本C0
1
www.fairchildsemi.com
