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FDB039N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
包装标志和订购信息
器件标识
FDB039N06
设备
FDB039N06
包
TO-263
带尺寸
管
胶带宽度
-
QUANTITY
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
C
=
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
150
o
C
60
-
-
-
-
-
0.04
-
-
-
-
-
1
500
±100
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= 10V ，我
D
= 75A
2.5
-
-
3.5
2.95
169
4.5
3.9
-
V
mΩ
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 48V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
6190
900
385
102
32
32
8235
1195
580
133
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7Ω
（注4 ）
-
-
-
-
30
40
55
24
70
90
120
58
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
41
47
174
696
1.3
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2： L = 0.31mH ，我
AS
= 75A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3: I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4 ：基本上是独立的工作温度典型特征
FDB039N06版本C0
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