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FDB039N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
典型性能特性
图1.区域特征
1000
V
GS
=
15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
图2.传输特性
1000
*注意：
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
100
100
175 C
o
10
25 C
o
10
-55 C
o
1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.1
0.01
1
6
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
3.6
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
1000
R
DS （ ON）
[
m
Ω
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
3.2
V
GS
= 10V
100
175 C
o
25 C
o
2.8
V
GS
= 20V
10
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
2.4
0
60
*注：t
C
= 25 C
o
120
180
240
I
D
，漏电流[ A]
300
360
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.2
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 12V
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
8
电容[ pF的]
6
1000
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4
C
RSS
2
*注：我
D
= 75A
100
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
20
40
60
80
100
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
120
FDB039N06版本C0
3
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