飞思卡尔半导体公司
表2.模拟多路复用器配置寄存器
SS3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
SS2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
SS1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
SS0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
未使用
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
通道
目前重新复制HB1
目前重新复制HB2
目前重新复制HB3
目前重新复制HB4
V
SUP
预分频器
温度传感器
HVDDON - HVDD ON位
该读/写位使能HVDD输出。复位清零
HVDDON位。
1 = HVDD启用。
0 = HVDD禁用。
半桥
输出HB1 ： HB4提供了四种低电阻式半桥
输出级。半桥可以在H桥中使用的，高
侧或低侧配置。
复位清零H桥输出寄存器的所有位
（ HBOUT ）由于这样的事实，所有的半桥的输出是
关闭。
HB1 ： HB4输出功能：
在高侧和低短路（过电流）
边MOSFET 。
电流重新复制功能（低侧MOSFET ） 。
过温保护。
过压和欠压保护。
电流限制功能（低侧MOSFET ） 。
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1
1
功率输出寄存器（ POUT ）
注册名称及地址：P
OUT
- $0b
Bit7
读
写
RESET
0
0
0
6
0
5
0
（注17 ）
4
0
（注17 ）
3
0
（注17 ）
2
0
（注17 ）
1
HVDDON
Bit0
0
（注17 ）
0
0
0
0
0
0
笔记
17.该位必须被设置为0 。
908E626
22
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转到： www.freescale.com
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
