飞思卡尔半导体公司
LVF -低电压标志位
该读/写标志被设置在低电压条件。明确
LVF写入逻辑[1] LVF 。如果一个低电压状况是否仍然
目前在写入LVF逻辑[1] ，写作没有影响。
因此，低电压中断不能由于丢失
LVF无意中结算。复位清除LVF位。写
逻辑[0]到LVF没有效果。
发生 1 =低电压状态。
0 =未发生低电压的状态。
HVF -高压标志位
该读/写标志被设置在高电压条件。明确
写入逻辑[1] HVF HVF 。如果高压条件下仍
目前在写入HVF逻辑[1] ，写作没有影响。
因此，一个高电压的中断不能由于丢失
HVF无意中结算。复位清除HVF位。写
逻辑[0]至HVF没有效果。
发生 1 =高压状态。
0 =未发生高压状态。
OCF -过流标志位
这个只读标志被设置在过流条件。重置
清除OCF位。要清除这个标志，写一个逻辑[ 1 ]到
适当的过流标志的SYSSTAT注册。看
图6中，
其示出了两个信号触发OCF 。
发生 1 =高电流状态。
0 =未发生大电流状态。
中断屏蔽寄存器（ IMR ）
注册名称及地址： IMR - 04美元
Bit7
读
0
0
0
LINIE
0
HTIE
0
LVIE
0
HVIE
0
OCIE
0
0
6
5
4
3
2
1
Bit0
0
写
RESET
0
LINIE -LIN线中断使能位
该读/写位使能CPU中断的LIN标志，
LINF 。复位清除LINIE位。
1 =中断从LINF标志请求启用。
0 =中断从LINF标志要求禁用。
HTIE高温中断使能位
该读/写位使能CPU中断的高
温度标志，导热油。复位清除HTIE位。
1 =中断从HTF标志请求启用。
0 =中断从HTF标志要求禁用。
LVIE低压中断使能位
该读/写位使能CPU中断由低
电压标志， LVF 。复位清除LVIE位。
从LVF标志1 =中断请求启用。
从LVF标志0 =中断请求无效。
HVIE - 高电压中断使能位
OCF
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HVDD_OCF
HB_OCF
该读/写位使能CPU中断的高
电压标志， HVF 。复位清除HVIE位。
1 =中断从HVF标志请求启用。
0 =中断从HVF标志要求禁用。
OCIE过电流中断使能位
该读/写位使能CPU中断的过流
标志， OCF 。复位清除OCIE位。
1 =中断从OCF标志请求启用。
0 =中断从OCF标志要求禁用。
图6.首席执行情况OCF
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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