飞思卡尔半导体公司
VSUP
开/关
状态
高侧驱动器
电荷泵，
超温保护，
过电流保护
飞思卡尔半导体公司...
控制
BEMF
HBx蛋白
开/关
低侧驱动器
状态
当前
极限
目前的再复制这个，
电流限制，
过电流保护
GND
图9.半桥推挽式输出驱动器
半桥控制
每个输出MOSFET可以单独控制。该
一般使该电路是通过在设定的PSON做
系统控制寄存器（ SYSCTL ） 。 HBx_L和HBx_H形式
1半桥。这是不可能的两个MOSFET的开关
1半桥同时。如果两位都置位时，高
侧MOSFET具有更高的优先级。
为了避免1半的两个MOSFET （高压侧和低压侧）
桥是在同一时间，休息前先电路
存在。开关的高侧MOSFET上被抑制，只要
作为栅极和V之间的电势
SS
不低于一定
门槛。开关上被阻塞的低侧MOSFET
只要栅极和高侧的源极之间的电势
MOSFET的不低于一定的阈值。
半桥输出寄存器（ HBOUT ）
注册名称及地址： HBOUT - 01美元
Bit7
读
HB4
_
HB4
_
L HB3
_
HB3
_
L HB2
_
HB2
_
L HB1
_
HB1
_
L
6
5
4
3
2
1
Bit0
写
RESET
0
0
0
0
0
0
0
0
HBx_L ，低边开/关位
这些读/写位打开低侧MOSFET 。重置
清除HBx_L位。
1 =低侧MOSFET接通半桥输出x 。
0 =低边MOSFET关断的半桥输出x 。
HBx_H -高边开/关位
这些读/写位打开高侧MOSFET 。重置
清除HBx_H位。
1 =高侧MOSFET接通半桥输出x 。
0 =高侧MOSFET接通半桥输出x 。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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