飞思卡尔半导体公司
CLS2 ： CLS0 - H桥电流限制选择位
这些读/写位选择的电流限制值
根据
表3中。
复位清零CLS2 ： CLS0位。
表3. H桥电流限制值选择位
CLS2
0
0
0
0
1
1
CLS1
0
0
1
1
0
0
1
1
CLS0
0
1
0
1
0
1
0
1
55毫安（典型值）
260毫安（典型值）
370毫安（典型值）
550毫安（典型值）
740毫安（典型值）
无极限
电流限制
SRS0 ： SRS1 - LIN摆率选择位
这些读/写位使用户能够选择
相应的LIN摆率不同的波特率配置
如图
表4 。
高速转换速率被使用，例如，用于
通过LIN编程并且不旨在用于本
应用程序。
表4. LIN摆率选择位
SRS1
0
0
1
1
SRS0
0
1
0
1
LIN摆率
最初的压摆率（ 20千波特）
缓慢的压摆率（ 10千波特）
高速II （ 8X ）
高速I（ 4X ）
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1
1
系统状态寄存器（ SYSSTAT ）
切换VDD输出
注册名称及地址： SYSSTAT - $ 0C
该HVDD终端是一个可切换的VDD的输出端相连。它
可用于驱动外部电路，需要为V
DD
电压。输出使能位PSON的系统
控制寄存器，并且可以接通/关断与位HVDDON
在电源输出寄存器。高或低电压条件下
（ LVI / HVI ）对这个电路没有影响。
Bit7
读
0
6
LINCL
5
HVDD
_OCF
0
4
0
0
3
LVF
2
HVF
1
HB_
OCF
0
Bit0
HTF
写
RESET
0
0
0
0
0
HVDD过热保护
如果高过温保护已启用
温度复位使能。
LINCL - LIN电流限制位
如果LIN发射器工作在该只读位被置位
电流限制区域。由于功耗过大
发射机中，软件是亮着的发射机关闭
马上。
1 =发送器处于电流限制区域工作。
0 =发送器没有电流限制区域工作。
HVDD_OCF - HVDD输出过流标志位
该读/写标志设为ON在过电流情况
HVDD终端。明确HVDD_OCF并能由输出
写入逻辑[1]到HVDD_OCF标志。复位清零
HVDD_OCF位。写入逻辑[0]至HVDD_OCF没有效果。
Bit0
0
（注17 ）
HVDD过流保护
该HVDD输出过电流保护。在
事件过流限制或达到，输出
自动关闭和HVDD过流标志的
系统状态寄存器被置位。
系统控制寄存器（ SYSCTL ）
注册名称及地址： SYSCTL - 03美元
Bit7
读
PSON
SRS1
0
SRS0
0
0
0
0
0
6
5
4
0
3
0
2
0
1
0
发生在HVDD 1 =过流条件。
0 = HVDD无过流情况发生。
LVF -低电压位
这个只读位是LVF位在中断标志副本
注册。
发生 1 =低电压状态。
0 =未发生低电压的状态。
写
RESET
0
0
笔记
18.该位必须被设置为0 。
PSON -功率级对位
这个读/写位使能功率级（半桥，
LIN发送器和HVDD输出） 。复位清除PSON位。
1 =功率级启用。
0 =功率级禁用。
HVF -高压传感器位
这个只读位是HVF位在中断标志副本
注册。
发生 1 =高压状态。
0 =未发生高电压状态。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
908E626
27
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