SiR872DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
60
48
I
D
- 漏电流（ A）
36
24
12
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
125
3.0
100
2.4
功率（W）的
50
功率（W）的
0
25
50
75
100
125
150
75
1.8
1.2
25
0.6
0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结至外壳
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 63809
S12-0678 -REV 。 A， 22 -MAR- 12
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