SiR872DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.10
I
D
= 20 A
10
T
J
= 25 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
1
0.08
0.06
0.1
0.04
T
J
= 125
°C
0.02
T
J
= 25
°C
0.01
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
0.00
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
源极 - 漏极二极管正向电压
0.5
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
160
I
D
= 5毫安
- 0.4
I
D
= 250 μA
- 0.7
功率（W）的
150
- 0.1
120
80
40
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
阈值电压
100
I
DM
有限
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
有限
1毫秒
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
BVDSS有限公司
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
www.vishay.com
4
如需技术支持，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 63809
S12-0678 -REV 。 A， 22 -MAR- 12
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
