六十零分之四十〇 / 80V的PowerTrench
MOSFET的
中等电压MOSFET的同步提升
整改SMPS设计
AC- DC电源系统设计人员需要具有成本效益的电源解决方案
最大限度地减少电路板空间，同时提高效率和降低功耗耗散
而不能使。功率密度和轻负载效率的提高也是关键问题。
扩展的PowerTrench的一部分
MOSFET系列，飞兆半导体最新的
中等电压功率MOSFET优化的电源开关的组合满足了这些
需要。该系列结合了小型栅极电荷（Q
g
） ，一个小的反向恢复
电荷（Q
rr
）和一个软的反向恢复的体二极管，从而实现了快速开关
荷兰国际集团的速度。可在40V ， 60V和80V的评价，这些设备需要较少的
缓冲电路，由于优化的软体二极管，能够减少电压尖峰
通过在竞争者的溶液达15％ 。
第一个可用的设备包括40V FDMS015N04B和80V
FDMS039N08B在Power56封装，和60V FDP020N06B
和80V FDP027N08B采用TO -220 3引脚封装。
测试条件： V
DD
= 40V ，我
d
= 50A ，V
gs
= 0V-10V
优势
较小的封装尺寸
(Power56 and TO-220 3-lead)
最大热
性能系统尺寸
低Q值
g
降低门
驾驶亏损
低Q
gd
/Q
gs
比
防止不希望的导通，
提高了系统的可靠性
低动态寄生
电容以降低门
驾驶亏损高
频率的应用
应用
同步整流
服务器/电信电源
电池充电器
电池保护电路
直流马达驱动器和
不间断电源
耗材
微型太阳能逆变器
QG （ NC ）
QG （ NC ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
134.1
169.2
FDP027N08B
竞争对手A
测试条件： V
DD
= 40V ，我
d
= 50A ，的di / dt = 500A / S，T
J
= 25°C
350
300
250
200
150
100
50
0
323.5
269.7
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/products/mosfets/powertrench.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS015N04B.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS039N08B.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDP020N06B.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDP027N08B.html
FDP027N08B
竞争对手B
的降低反向恢复标杆
电荷（Q
rr
），并降低栅极电荷（Q
G
)
产品编号
FDP020N06B
FDP027N08B
FDMS039N08B
FDMS015N04B
B
V
(V)
60
80
80
40
R
DS （ ON）
(mΩ)
2
2.7
3.9
1.5
Q
g
（ NC ）
204
137
77
87
包
TO220
TO220
PQFN56
PQFN56
