双N沟道PowerTrench
MOSFET
实现最高的功率密度，效率
电源设计
在更短板提供更高的功率密度和效率的挑战
空间去手牵手与日益增长的需求以提供额外的
在高密度的功能嵌入的DC- DC电源。一个解决方案
这种困境，飞兆半导体的FDPC8011S ，已开发在更高的操作
的开关频率，并且包括在两个专门的N沟道MOSFET
双封装。交换节点已在内部连接，以便能够方便
放置和同步降压转换器的路由。控制MOSFET
（Q1）和同步SyncFET
（ Q2），已被设计成提供最佳
电源效率。
该FDPC8011S由一个1.4mΩ SyncFET技术和5.4mΩ控制，
的优点的N沟道MOSFET低的数字集成在一个全剪辑包，其中
有助于减少电容器数量和电感器的尺寸。该器件的源下来，
低侧允许简单的布局和布线，从而实现更紧凑的
电路板布局，实现最佳的散热性能。
优势
控制N沟道MOSFET
有R
DS （ ON）
= 5.4mΩ typical,
(7.3mΩ max) at V
GS
= 4.5V
同步N沟道
MOSFET有R
DS （ ON）
= 1.4mΩ
typical, (2.1mΩ max) at
V
GS
= 4.5V
低电感封装
缩短上升/下降时间，
导致较低的开关
损失
MOSFET集成使
较低的最佳布局
电路的电感和减少
开关节点振铃
应用
计算
通信
通用负载点的
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html
电源夹双N沟道PowerTrench
MOSFET
产品
数
肖特基
体
二极管
是的
BV
DSS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(mΩ)
@ 4.5V V
GS
HIGH-
SIDE
7.3
低
SIDE
1.4
Q
g
典型值（ NC ） @
V
GS
= 4.5V
HIGH-
SIDE
9
低
SIDE
30
C
OSS
典型值
（ pF）的高侧
低
SIDE
332
HIGH-
SIDE
1126
维
(mm)
FDPC8011S
25
3.3 x 3.3
