650V的IGBT
高电压阻断能力
在不牺牲性能
改善与热和热调节能源效率的挑战，而
保持元件数量低，只是变得更容易。飞兆半导体的FGAxxN65SMD系列
650V IGBT的光伏逆变器的应用解决了这一需要 -
在不牺牲性能。
飞兆半导体的场截止IGBT技术使设计人员能够开发出高度
可靠的系统设计具有更高的输入电压，同时提供最佳的
性能要求低传导和开关损耗是必不可少的。
该功能意味着设计受益于高电流处理能力，
正温度系数，紧参数分布和广泛的安全
操作区。
优势
正温度
合作效率，易于并行
手术
高电流能力
可实现高功率
DC -AC转换
最大结
温度：T已
J
= 175C
低饱和电压：
V
CE （SAT）
= 1.9V (typical) @
I
C
= 40A/60A rated current
开关速度快
允许系统
保持高效率
低导通和
开关损耗
宽SOA （安全工作
区） - 允许更高
功耗
严格的参数分布
98.00
97.00
系统效率（ ％ ）
96.00
95.00
94.00
93.00
92.00
91.00
40N65SMD
40N60SMD
竞争对手A
竞争对手B
300
600
900
1500
2250
3000
应用
太阳能光伏逆变器
微型转换器系统
中央逆变器系统
微型逆变器系统
UPS ， SMPS ，焊工和
PFC应用
P
OUT
（输出功率） （W）的
CEC （加州能源委员会）加权
效率测试光伏逆变器系统
Q1
Q3
格
Q2
Q4
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html
fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html
fairchildsemi.com/applications/
太阳能逆变器/ index.html的
fairchildsemi.com/onlineseminars/
产品
数
中央MPPT系统的应用图示
（全桥逆变器）
BV
CES
(V)
i
C
@
100°C
(A)
40
60
V
CE （ SAT ）
典型值
@ 25°C,
15V (V)
1.9
1.9
e
关闭
典型值
@
25°C
（兆焦耳）
0.26
0.45
P
D
@
25°C
(W)
349
600
V
F
典型值
@
25°C
(V)
2.1@
20A
2.1@
30A
t
rr
典型值
@
25°C
（纳秒）
42 @
20A
47 @
30A
T
J
（最大）
(°C)
175
175
包
FGA40N65SMD
FGA60N65SMD
650
650
TO-3PN
TO-3PN
