P沟道PowerTrench
MOSFET的
节省空间和散热管理问题
在手机设计
移动设备设计人员面临的挑战是节省空间，提高效率
并在其终端应用的热管理问题。现在，最大限度地减少了电路板
空间和R
DS （ ON）
在一个微型的外形可以与FDZ661PZ
和FDZ663P P沟道， 1.5V指定的PowerTrench
超薄WLCSP封装MOSFET导
场效应管。这些先进的WLCSP封装的MOSFET使用先进设备，最先进的“细间距”
薄的WLCSP封装方法，该方法使设备能够结合excel-
借给热传递特性，超低轮廓（ <0.4毫米）和小
（ 0.8毫米X 0.8毫米）封装，低栅极电荷，低R
DS （ ON）
.
优势
仅占0.64毫米
2
of
PCB面积
超薄封装：小于
0.4mm height when mounted
到PCB
卓越的热
特色
HBM ESD保护水平
2kV (FDZ661PZ)
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FD/FDZ661PZ.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDZ663P.html
先进设备，最先进的细间距，超薄WLCSP移动设备
产品
数
BV
DSS
(V)
V
GS
(V)
V
GS （ TH）
（V ）典型值
-1.5V
GS
315mΩ
-1.5V
GS
288mΩ
- 4.5V
GS
140mΩ
- 4.5V
GS
134mΩ
R
DS （ ON）
(mΩ)
最大
6.3
5.9
Q
g
典型值
（ NC ） @
V
GS
=
4.5V
8.8
8.2
i
D
(A)
P
D
(W)
包
FDZ661PZ
FDZ663P
-20
-20
±8
±8
-2.6
-2.7
0.4
0.4
WLCSP
（ 0.8毫米X 0.8毫米）
WLCSP
（ 0.8毫米X 0.8毫米）
